【导读】Nexperia是分立和MOSFET元件以及模拟和逻辑集成电路领域的专家，今天宣布发布了它有史以来最低的RDS（on）功率MOSFET。已被公认为低电压、低RDS（ON）器件的行业领导者，今天推出的PSMNR51-25YLH在25 V下设置了0.57μm的新标准。利用NExista独特的NEXPOWEST3技术，在不损害其他重要参数如最大漏电流（ID（max））的情况下，提供了市场领先性能；安全操作区（SOA）或门电荷QG。
极低的RDS（on）器件在很多应用中都需要，如ORing、热插拔操作、同步整流、电机控制和电池保护，以减少I~R损耗和提高效率。然而，一些具有类似RDS（on）值的竞争设备由于单元间距的减小而受到SOA（MOSFET的坚固性度量）降低和ID（max）额定值降低的影响。NSuthiA公司的PSMNR51-25YLH MOSFET提供最大的漏电流额定值高达380安培。在电机控制应用中，这个参数尤其重要，因为电机失速会在短时间内产生非常大的电流浪涌，而MOSFET必须承受这些浪涌才能安全可靠地工作。一些竞争对手只提供计算ID（最大值），而Nexperia则展示了高达380安培的持续电流能力。
该设备采用LFPAK56封装，Nexperia的5mm x 6mm Power-SO8兼容封装，提供高性能铜夹结构，可吸收热应力，提高质量和寿命可靠性。
Nexperia电力MOSFETs产品经理史蒂文•沃特豪斯（Steven Waterhouse）评论道：“我们最新推出的NextPowerS3 MOSFETs意味着电力工程师现在有了比以往任何时候都更多的选择来制造市场领先的产品——电池可以使用更长时间，电机可以提供更多扭矩，服务器可以更可靠。”
典型的应用包括：电池保护；无刷直流（BLDC）电机控制（全桥，三相拓扑）；用于ORing、热交换操作和同步整流的服务器电源。
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