【导读】宾夕法尼亚州马尔文市—2020年1月29日—Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE:VSH）今天推出了一种新型80 V TrenchFET®Gen IV n沟道功率MOSFET，采用6.15 mm×5.15 mm PowerPAK®SO-8单封装。Vishay Siliconix SiR680ADP通过提高功率转换拓扑和开关电路的效率来节约能源，它提供了最好的电阻乘以栅极电荷（功率转换应用中使用的MOSFET的关键性能指标（FOM））129 mΩ*nC。
今天发布的装置结合了在10伏时的2.35兆欧的通电电阻和55毫伏的超低栅极电荷以及614 pF的COSS。这些规格经过微调，以减少开关、通道传导和二极管传导造成的功率损耗，从而提高效率。MOSFET的导通电阻乘以栅电荷FOM比最接近的竞争产品低12.2%，比上一代器件低22.5%，是典型的48v输入到12v输出DC/DC转换器的最有效解决方案。
SiR680ADP将作为各种DC/DC和AC/DC转换应用的基础，如同步整流、一次侧开关、buck-boost变换器、谐振槽开关变换器，以及电信和数据中心服务器电源、太阳能微型逆变器、电机驱动等系统中的OR-ing功能电动工具和工业设备中的控制；电池管理模块中的电池切换。
MOSFET经过100%RG和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
SiR680ADP的样品和生产数量现已提供，交货期为12周。
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