【导读】2020年2月10日-Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE:VSH）今天推出了一种新的-30V p沟道TrenchFET®Gen IV功率MOSFET，在3.3m m×3.3mm热增强PowerPAK®1212-8S封装中提供10V时3.5MΩ的工业低导通电阻，除了同类最佳的电阻乘以栅极电荷-开关应用中使用的mosfet的临界值（FOM）-172mΩ*nC。专为提高功率密度而设计，节省空间的Vishay Siliconix SiSS05DN比6 mm×5 mm封装中具有类似导通电阻的器件小65%。
今天发布的MOSFET的导通电阻比上一代解决方案低26%，比市场上的次优产品低35%，而其FOM比最接近的竞争设备低15%。在便携式电子设备中，这些行业最佳值可减少传导和开关损耗，以节省能源和增加电池运行时间，同时最小化电源路径上的电压降，以防止误触发。该设备紧凑的外形更容易适应有限的PCB房地产设计。
凭借其行业标准足迹大小，SISS05DN提供了一个升级到现有的应用在5 V至20 V输入轨部分下降。MOSFET是适配器和负载开关、反极性保护以及电池供电设备、电池充电器、消费电子产品、计算机、电信设备等中的电机驱动控制的理想选择。
该设备经过100%RG和UI测试，符合RoHS标准，无卤素。
SiSS05DN的样品和生产数量现已提供，交货期为12周，视市场情况而定。
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