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Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET

发布时间:2024-12-04 责任编辑:lina

【导读】日前,威世科技Vishay宣布,推出采用PowerPAK® 10x12封装的新型40 V TrenchFET® 四代n沟道功率MOSFET---SiJK140E,该器件拥有优异的导通电阻,能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。与相同占位面积的竞品器件相比,Vishay Siliconix SiJK140E的导通电阻降低了32 %,同时比采用TO-263-7L封装的40 V MOSFET的导通电阻低58 %

 

器件占位面积小,采用BWL设计,ID高达795 A,可提高功率密度,而且低至0.21 °C/W的RthJC可优化热性能

 

2024年12月4日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® 10x12封装的新型40 V TrenchFET® 四代n沟道功率MOSFET---SiJK140E,该器件拥有优异的导通电阻,能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。与相同占位面积的竞品器件相比,Vishay Siliconix SiJK140E的导通电阻降低了32 %,同时比采用TO-263-7L封装的40 V MOSFET的导通电阻低58 %。

 

Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET


日前发布的这款器件在10 V电压下的典型导通电阻低至0.34 mW,最大限度减少了传导造成的功率损耗,从而提高了效率,同时通过低至0.21 °C/W典型值的RthJC改善了热性能。SiJK140E允许设计人员使用一个器件(而不用并联两个器件)实现相同的低导通电阻,从而提高了可靠性,并延长了平均故障间隔时间(MTBF)。 

 

MOSFET采用无线键合(BWL)设计,最大限度减少了寄生电感,同时最大限度提高了电流能力。采用打线键合(BW)封装的TO-263-7L解决方案电流限于200 A,而SiJK140E可提供高达795 A的连续漏极电流,以提高功率密度,同时提供强大的SOA功能。与TO-263-7L相比,器件的PowerPAK 10x12封装占位面积为120 mm2,可节省27 %的PCB空间,同时厚度减小50 %。

 

SiJK140E非常适合同步整流、热插拔和OR-ing功能。典型应用包括电机驱动控制、电动工具、焊接设备、等离子切割机、电池管理系统、机器人和3D打印机。为了避免这些产品出现共通,标准级FET提供了2.4Vgs的高阈值电压。MOSFET符合RoHS标准且无卤素,经过100 % Rg和UIS测试。

 

PPAK10x12与 TO-263-7L规格对比


Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET


SiJK140E现可提供样品并已实现量产,订货周期为36周。 

 

VISHAY简介


Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech. ®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。


The DNA of tech®是Vishay Intertechnology, Inc.的注册商标。TrenchFET和PowerPAK是Siliconix incorporated的注册商标。


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