【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）推出了具备650 V N沟道功率MOSFET的“TK068N65Z5、 TK095E65Z5、TK095A65Z5、TK095V65Z5、TK115E65Z5、TK115A65Z5、TK115V65Z5和TK115N65Z5”系列产品，并将其添加到东芝最新一代[1]采用了高速二极管（DTMOSVI（HSD））的DTMOSVI系列产品线中，该产品线采用了超结结构，非常适用于数据中心的高效开关电源和光伏发电机的功率调节器。新产品采用的封装为TO-247、TO-220SIS、TO-220和DFN 8×8。
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）推出了具备650 V N沟道功率MOSFET的“TK068N65Z5、 TK095E65Z5、TK095A65Z5、TK095V65Z5、TK115E65Z5、TK115A65Z5、TK115V65Z5和TK115N65Z5”系列产品，并将其添加到东芝最新一代[1]采用了高速二极管（DTMOSVI（HSD））的DTMOSVI系列产品线中，该产品线采用了超结结构，非常适用于数据中心的高效开关电源和光伏发电机的功率调节器。新产品采用的封装为TO-247、TO-220SIS、TO-220和DFN 8×8。
新产品采用DTMOSVI（HSD）工艺，通过高速二极管来改进桥式电路和逆变电路应用中所至关重要的反向恢复[2]特性。与东芝现有的标准型DTMOSVI产品TK090A65Z相比，新产品TK095A65Z5的反向恢复时间（trr）缩短了约65%[3]，反向恢复电荷（Qrr）减少了约88%[3]（测量条件：-dIDR/dt＝100 A/μs）。DTMOSVI（HSD）工艺通过高速二极管（DTMOSIV（HSD））改进了东芝现有DTMOSIV系列产品的反向恢复[2]特性，它在高温下具有较低的漏极截止电流，其品质因数“漏源导通电阻×栅漏电荷”也较低。新产品TK095A65Z5相比较于东芝现有的产品TK35A65W5[5]，其高温漏极截止电流降低了约91%[4]，漏源导通电阻×栅漏电荷降低了约70%[3]。这一改进将减少设备功耗，提高效率。
东芝网站提供了一个使用同系列产品TK095N65Z5的参考设计＂1.6 kW服务器电源（升级版）＂，可供参考。
东芝还提供用于支持开关电源电路设计的工具，除了可在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型外，现在还提供可精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。
东芝还将继续扩大其DTMOSVI系列产品线，提高开关电源的效率，推进节能设备的发展。
注：
[1]截止于2024年7月17日的东芝调查。
[2]MOSFET主体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作。
[3]东芝的测量值。
[4]东芝的测量值。新产品TK095A65Z5的电流为0.23 mA（测试条件：VDS＝650 V，VGS＝0 V，Ta＝150°C）。
东芝现有产品TK35A65W5的电流为2.6 mA（测试条件： VDS＝650 V，VGS＝0 V，Ta＝150°C）。
[5]DTMOSIV（HSD）系列
应用
工业设备
开关电源（数据中心服务器、通信设备等）
电动汽车充电站
光伏发电机的功率调节器
不间断电源系统
特性
最新一代[1]DTMOSVI系列的高速二极管MOSFET
高速二极管带来反向恢复时间：
TK068N65Z5 trr＝135 ns（典型值）
TK095E65Z5，TK095A65Z5，TK095V65Z5 trr＝115 ns（典型值）
TK115E65Z5，TK115A65Z5，TK115V65Z5，TK115N65Z5 trr＝110 ns（典型值）
低栅漏电荷带来高速开关：
TK068N65Z5 Qgd＝22 nC（典型值）
TK095E65Z5，TK095A65Z5，TK095V65Z5 Qgd＝17 nC（典型值）
TK115E65Z5，TK115A65Z5，TK115V65Z5，TK115N65Z5 Qgd＝14 nC（典型值）
主要规格
（Ta＝25°C）
[6]VDSS＝600 V
特性曲线[3]
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