你的位置:首页 > 新品 > 正文

东芝拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET DTMOSVI系列

发布时间:2022-03-08 责任编辑:wenwei

【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社 (“东芝”)在其DTMOSVI系列新一代650 V超结结构N沟道功率MOSFET中推出四款新产品——“TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z”,它们适用于数据中心、光伏发电机功率调节器等工业设备的开关电源。


8.png


产品线扩展了器件的封装、漏源导通电阻和栅漏电荷。


与上一代DTMOSIV-H系列相比,新一代DTMOSVI系列“漏源导通电阻×栅漏电荷”的品质因数降低约40%[1],关电源效率提高约0.36%[2]。


为满足市场需求,东芝将继续扩大其产品线并帮助提高电源效率。


注:


[1]与上一代DTMOSIV-H系列相比


[2]截至2022年2月,东芝测量的数值(采用输出功率为2500W的PFC电路时,TO-247封装的新系列TK040N65Z与上一系列TK62N60X相比)


应用


工业设备开关电源


●    数据中心 (服务器电源等)

●    光伏发电机功率调节器

●    不间断电源系统


特性


●    “漏源导通电阻×栅漏电荷”的值 降低约40%1],有助于提高开关电源的效率。

●    直插式TO-220封装


主要规格


1646708737874236.png


内部电路


10.png


应用电路示例


1646708717965491.png


注:


本文所示应用电路仅供参考。


需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。


提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。



推荐阅读:


德国皮尔磁新品雷达传感器现可用于机器人监控

共达电声推出新型压力传感器,为TWS耳机带来更好的触控操作体验

美光推出业界最先进的176层NAND技术数据中心固态硬盘

Microchip推出业界性能最强的16通道PCIe第五代企业级NVMe固态硬盘控制器

Bourns推出三款全新可高温运作半屏蔽功率电感器

特别推荐
技术文章更多>>
技术白皮书下载更多>>
热门搜索
 

关闭

 

关闭