东芝电子元件与存储株式会社（“东芝”）推出了 30 V 产品“SSM6K818R”、适用于前照灯控制开关等的汽车设备用 N 沟道 MOSFET，以扩大其阵容。
新产品采用我们的新工艺，具有行业领先的[1]低导通电阻。他们通过扁平引线封装扩展了芯片安装能力，降低了热阻。因此，该产品采用小型 TSOP6F 封装，具有 1.5 W 的额定功耗，有助于降低设备的功耗。此外，TSOP6F 封装与具有类似功耗额定值的 SOP-8 封装相比，安装面积减少了约 70%，有助于减小设备尺寸。此外，它们符合 AEC-Q101，允许它们用于各种用途，包括汽车应用，如前灯控制开关、灯光控制开关和用于 USB 供电的负载开关。
另一款 40 V 产品 SSM6K804R [2]将投入量产。
注：
[1] 与TSOP6F级封装的产品和相同最大额定值的产品比较，根据东芝的调查（截至2021年7月）
[2] 计划于2021年10月（截至2021年9月）开始量产)
应用
●汽车设备（大灯、转向灯、日间行车灯、USB充电器等）
特征
●通过行业领先的[1]低导通电阻降低功耗：
●R DS(ON) =12 mΩ（最大值），V GS =4.5 V (SSM6K818R)
●通过降低热阻，TSOP6F 封装具有 1.5 W 的额定功耗
●AEC-Q101 合格
主要规格
(@T a =25 °C)
笔记：
[3] 现有产品
内部电路
应用电路示例
笔记 ：
本文档中显示的应用电路仅供参考。
需要进行彻底的评估，尤其是在批量生产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。
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