【导读】空间应用电源需要在抗辐射技术环境中运行，防止极端粒子相互作用及太阳和电磁事件的影响，因为这类事件会降低空间系统的性能并干扰运行。为满足这一要求，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布其M6 MRH25N12U3抗辐射型250V、0.21欧姆Rds（on）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）获得了商业航天和国防空间应用认证。
Microchip耐辐射M6 MRH25N12U3 MOSFET为电源转换电路提供了主要的开关元件，包括负载点转换器、DC-DC转换器、电机驱动和控制以及通用开关。这款MOSFET器件能够承受恶劣的空间环境，增强电源电路的可靠性，并以更高的性能满足MIL-PRF19500/746的所有要求。
M6 MRH25N12U3 MOSFET可用于未来的卫星系统，也可作为现有系统的备用电源。
新器件可以承受高达100 krad和300 krad的总电离剂量（TID）以及高达87 MeV/mg/cm2的线性能量转移（LET）的单一事件效应（SEE）。在验证测试中，器件的晶圆批次耐辐射合格率达到100%。
Microchip分立式产品业务部副总裁Leon Gross表示：“Microchip进入耐辐射MOSFET市场，体现了我们致力于为客户提供支持，为航空航天和国防OEM厂商和集成商提供高性能解决方案和持续供应的长期承诺。除了公认的高质量和可靠性外，M6 MRH25N12U3还为开发人员提供价值定价选择以及全面的应用支持。”
M6 MRH25N12U3属于Microchip丰富的航空、国防和航天技术产品线。这些产品包括现场可编程门阵列（FPGA）、微处理器集成电路（IC）、线性IC、功率器件、分立器件和集成SiC和Si电源解决方案的电源模块。再搭配单片机（MCU）和模拟产品，Microchip能够满足大功率系统控制、门驱动和功率级的需求，可为全球开发者提供整体系统解决方案。
Microchip在不断推出新技术的同时，还寻求与航天产品制造商和集成商合作，保障现有和未来系统供应链的安全。
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