【导读】英飞凌科技公司推出车用650 V CoolSiC™ 混合分立器件（Hybrid Discrete），内含一个50 A TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极型晶体管）和一个CoolSiC肖特基二极管，可降低成本、提高性能和可靠性。将IGBT与肖特基二极管结合，可为硬交换拓扑实现高性价比平衡，且支持高完整性系统及双向充电，从而使该器件非常适用于快速开关汽车应用，如车载充电器（OBC）、功率因数校正（PFC）、DC-DC（直流-直流）和DC-AC（直流-交流）转换器。
（图片来源：英飞凌）
集成的快速开关50 A IGBT可实现类似MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor金氧半场效晶体管）的断开性能并且优于纯硅解决方案。与常规的碳化硅MOSFET相比，即插即用的解决方案可缩短产品上市时间，并以较低的成本实现95％至97％的系统效率。此外，CoolSiC肖特基二极管还可降低导通和恢复损耗。与纯硅设计相比，该器件更适合硬交换，并将损耗降低30％。该二极管对冷却温度要求较低，因此可提供系统级高性价比平衡。
中国OBC供应商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）的下一代OBC / DC-DC系统就采用了英飞凌最新的CoolSiC 混合分立器。该公司致力于开发汽车级电子产品，为客户提供高度可靠的OBC和DC-DC转换器。
VMAX的研发总监Xu Jinzhu表示：“VMAX的理念是不断为客户创造最大价值。而与英飞凌合作，可为该理念的实现提供基础。CoolSiC 混合分立器可帮助VMAX简化驱动器设计、加速产品开发、降低成本并提高系统稳定性。集成的碳化硅二极管不带反向恢复电荷，可进一步优化系统的EMC（Electro Magnetic Compatibility电磁兼容性）特性，从而为图腾式开关PFC和DAB (Dual Active Bridge串联型双主动桥)等拓扑结构带来更大性能优势和更高性价比。”
英飞凌汽车大功率分立器件和芯片部门副总裁JürgenSpänkuch表示：“很高兴可以和VMAX达成合作。该项目将进一步凸显我们在车载充电器应用中领先地位。”
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