【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了10款适用于工业设备开关电源的新一代80 V N沟道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”产品。共提供三种类型的封装： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用双列直插式封装TO-220； “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 采用绝缘型直插式封装TO-220SIS；以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”采用贴片式封装DPAK。
新产品采用新一代具有低压沟槽结构的U-MOSⅩ-H工艺，具有业内领先的[1]低漏源导通电阻。这减少了导通损耗，有助于降低设备的功耗。此外，它们继承了现有工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性。这降低了漏源导通电阻x栅极开关电荷[2]的值（开关应用的品质因数）。
注：
[1] 相对于具有相同评级的产品，截至2021年2月东芝的调查。
[2] 与TK100E08N1（U-MOSVIII-H系列）相比，TK2R4E08QM的“典型漏源导通电阻×典型栅极开关电荷”降低了8%左右。
特性
● 业内最低等级[1]的导通电阻：
RDS(ON)＝2.44mΩ（最大值 ）＠VGS＝10V（TK2R4E08QM）
● 低电荷（输出和栅极开关）
● 低栅极电压驱动（6V驱动）
应用
● 工业设备的开关电源
（高效AC-DC转换器、高效DC-DC转换器等）
● 电机控制设备（电机驱动器等）
产品规格
内部电路
应用电路示例
注：
● 本文所示应用电路仅供参考。
● 需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
● 提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。
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