日前，Vishay宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装，将10V下的导通电阻扩展到30mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩大为6A～105A。650V E系列功率MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超级结技术，针对可再生能源、工业、照明、电信、消费和计算市场中对输入电压安全裕量有额外要求的应用，Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性能指标。

新款功率MOSFET使E系列的器件总数达到26个。所有E系列器件都具有超低的导通电阻和栅极电荷，可实现极低的传导和开关损耗，可在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、不间断电源(UPS)、电池充电器、LED照明、半导体制造设备、适配器和太阳能逆变器等高功率、高性能开关电源中节省能源。

器件针对雪崩和通信模式中承受高能脉冲而设计，通过100%的UIS测试确保极限性能。MOSFET符合RoHS。

E系列功率MOSFET规格表：


新款功率MOSFET供货信息

目前新款功率MOSFET已可提供样品，量产供货周期为十六周到十七周。

相关阅读：
Vishay超快二极管，反向恢复时间最快仅需28ns
http://ep.cntronics.com/guide/4320/238
ST最新功率技术，助力低能耗、高空间效率设计
http://ep.cntronics.com/guide/4107/235
飞兆新型四路MOSFET，功耗降低10倍
http://www.cntronics.com/restify-art/80020844