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Vishay推出17款600V N沟道功率MOSFET

发布时间:2012-10-22 责任编辑:abbywang

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ~600mΩ,将最高电流等级扩展至7A~73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结技术,使公司进入使用功率转换技术的增量市场,包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。

Vishay推出17款600V N沟道功率MOSFET
图题:Vishay推出17款600V N沟道功率MOSFET

今天发布的器件使600V E系列MOSFET的器件数量增加到27个。所有的E系列器件都具有超低的导通电阻和栅极电荷,可实现极低的传导损耗和开关损耗,从而在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、不间断电源(UPS)、电池充电器、LED照明、半导体生产设备、适配器和太阳能电池逆变器等高功率、高性能的开关应用中节约能源。

器件可承受雪崩和通信模式中的高能脉冲,保证通过100% UIS测试时达到极限条件。MOSFET符合RoHS指令。

器件规格表:
器件规格表

这些新款功率MOSFET现可提供样品,量产订货的供货周期为十六周到十八周。
 

 
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