近日，意法半导体（ST）发布新一代能够降低电信系统、计算机系统、太阳能逆变器、工业自动化以及汽车电子等应用设备的环境影响的高能效功率器件STripFET  VII DeepGATE MOSFET，让工业设备和基础设施更加节能环保。全新功率晶体管系列采用先进的内部结构，拥有业界最低通态电阻，适用于低能耗、高空间效率的设计。

意法半导体全新STripFET  VII DeepGATE MOSFET 在当前市场销售的80V和100V功率晶体管中拥有最高的导通效率，同时提高了开关效率。此外，新产品有助于简化设计，使用数量更少且封装更小的器件满足系统功耗和能效目标，从而降低了设备尺寸和成本。

增强的MOSFET栅结构是意法半导体STripFET VII DeepGATE技术的重要进步，降低器件通态电阻的同时还降低了内部电容和栅电荷，进一步提高开关速度和效率。新产品的抗雪崩能力优异，使产品在可能损坏器件的恶劣条件中仍可正常工作，因此STripFET VII DeepGATE是汽车电子应用的最佳选择。

意法半导体MOSFE订购信息

现在可订购的STripFET VII DeepGATE样片或产品超过15种，包括STP270N8F7 80V器件和若干100V器件，客户可选择TO-220、DPAK、PowerFLAT 5x6和2针脚或6针脚H2PAK封装。如需大量订购，请联络意法半导体销售办事处。

意法半导体MOSFET和电压额定值

STripFET VII DeepGATE是意法半导体强大的MOSFET技术家族的新成员，在各种应用使用的主要电压额定值下，提供业界领先的能效、功率容量和耐用性。STripFET VII DeepGATE技术特别适用于直流电压驱动的电气系统，如电信设备广泛使用的48V直流电压。80V或100V器件具有充足的安全裕量，可承受在48V系统中常见的过压电涌。优异的可靠性让STripFET VII DeepGATE还可用于12V或24V汽车电子应用。

工业电源还需要像MDmesh 超结技术一样的功率技术，因为此项技术在较高电压额定值时能效十分优异。600V或650V MDmesh器件为交流－直流电源、照明镇流器和显示器提供适合的安全裕量。意法半导体近期发布的全新高能效MDmesh产品系列以低栅电荷为特色，适用于谐振型功率转换器，如液晶电视电源。

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