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英伟达2025年部署SOCAMM:内存市场迎来HBM替代新变量
2025年,英伟达正式启动SOCAMM(新型内存模块)部署计划,预计规模达60万至80万个,这一动作被视为内存市场的重要转折点。作为HBM(高带宽内存)的潜在替代方案,SOCAMM虽初期部署量较小,却可能引发内存技术与基板行业的深度变革,为AI时代的高性能计算需求提供新解法。
2025-07-24
英伟达 SOCAMM HBM替代方案 美光内存模块 AI服务器内存 基板行业
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ASM第二季度订单降4%不及预期:先进制程需求疲软,中国市场成关键缓冲
近日,荷兰半导体设备供应商ASM公布最新财报,2025年第二季度订单表现引发市场关注。数据显示,按固定汇率计算,公司当季订单量同比下降4%,至7.02亿欧元(约合8.25亿美元),低于分析师此前预期的8.37亿欧元。这一结果背后,既反映了部分核心客户业务调整的影响,也折射出全球半导体行业在技术转型...
2025-07-24
ASM 芯片设备 先进制程需求 GAA技术 地缘政治影响 中国市场半导体
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SK海力士24Gb GDDR7供应在即,打破三星独供局面
2025年,内存市场迎来新一轮技术升级。据行业消息,SK海力士计划于年内启动24Gb GDDR7内存的供应,此举将改变当前24Gb GDDR7由三星电子独家供应的局面,为英伟达等客户的显卡产品提供更多选择。
2025-07-24
SK海力士 GDDR7 英伟达 RTX 50显卡 三星 GDDR7独供 内存模组 LPDDR服务器
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DDR6量产进入倒计时:2027年大规模导入,性能较DDR5提升2-3倍
在生成式AI、高性能计算(HPC)及数据中心对内存带宽与效率需求激增的背景下,新一代内存标准DDR6正式迈入量产准备阶段。根据JEDEC(固态技术协会)推进计划,DDR6规范将于2024年底完成草案,LPDDR6草案则计划在2025年第二季对外发布,2026年进入平台测试与验证阶段,预计2027年实现大规模市场导入。
2025-07-23
DDR6 DDR6性能参数 CAMM2架构 三星 美光 SK 海力士 DDR6传输速率
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三星HBM技术突破:16层起引入混合键合,20层HBM5将量产
在京畿道城南市举办的“商用半导体开发技术研讨会”上,三星电子DS部门半导体研究所下一代研究团队常务董事金大宇透露:三星计划从第7代16层HBM“HBM4E”开始逐步引入混合键合技术,并将在第8代20层HBM“HBM5”中实现全面量产。这一技术升级标志着HBM(高带宽存储器)向更高层数、更薄形态的关键突破。
2025-07-23
三星 HBM技术 HBM4E HBM5 半导体存储技术 HBM3E 热压键合替代
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NAND Flash市场结构性调整:TLC/QLC迭代加速,嵌入式市场格局生变
进入2025年,NAND Flash市场正经历技术迭代与供需格局的双重变革。随着高密度、大容量TLC/QLC技术加速普及,256Gb及以下容量NAND的产能正快速缩减,部分低容量产品已逐步进入停产阶段。这一趋势直接推动嵌入式存储市场供应收紧,低容量eMMC产品价格显著攀升,终端客户面临升级压力。
2025-07-23
NAND Flash 低容量eMMC NAND涨价 嵌入式存储升级 存储芯片
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麦肯锡揭秘:AI热潮下半导体利润向头部集中,韩国存储巨头面临转型挑战
据麦肯锡最新报告,2024年半导体行业创造的经济利润中,前5%的企业(按年销售额划分)包揽了全部1590亿美元利润,而中间90%的企业仅获得50亿美元利润,后5%企业更是亏损370亿美元。这一数据揭示了AI芯片时代
2025-07-23
AI芯片 半导体 利润分布 韩国半导体 CXL技术 AI半导体增长率 HBM内存标准
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德州仪器Q2财报超预期:营收44.5亿美元,模拟芯片领涨18%
2025年第二季度,全球半导体巨头德州仪器(TI)交出了一份亮眼的成绩单。数据显示,公司Q2实现营收44.5亿美元,同比增长16%,环比增长9%;运营利润达15.6亿美元,同比增长25%,超出分析师预期的14.7亿美元。这一成绩不仅延续了Q1的增长势头,更凸显了其在模拟芯片领域的领先地位。
2025-07-23
德州仪器 Q2财报 芯片营收 模拟芯片 关税 毛利率变化 本土晶圆厂
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2025年HBM内存技术新动向:三星揭示TCB局限,HCB将成主流
2025年,三星电子在半导体技术领域抛出一枚重磅信号:其系统封装实验室副总裁Kim Dae-Woo在近期产业研讨会上透露,当前主流的热压缩键合(TCB)技术已难以支撑20层(16层以上)HBM内存堆栈的生产需求,这一瓶颈或将推动下一代键合技术的加速落地。
2025-07-22
三星 HBM技术 热压缩键合局限 混合键合HCB HBM4E HBM5
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