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AI服务器带旺，国巨等被动元件迎拉货潮！
英伟达GB200即将大量出货，将推动被动元件新一波拉货潮。由于AI服务器积层陶瓷电容（MLCC）用量较传统服务器大增逾一倍，且单价也更好，国巨、华新科出货等被动组件厂商或获利提升明显。
2025-01-03
AI 服务器 被动元件
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库存续扬、淡季需求弱！NAND Flash首季价格恐跌逾10%
根据研调机构集邦TrendForce最新调查，2025年第一季NAND Flash供应商将面临库存持续上升，订单需求恶化等挑战，平均合约价恐季减10%~15%。其中，wafer跌幅将收敛，模块产品部分，由于enterprise SSD订单稳定，预期可缓冲合约价跌势；Client SSD及UFS则因消费性终端产品需求疲软，买家采购意愿保守，...
2025-01-03
NAND Flash
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DRAM内存2025年Q1价格预计下降高达13%
DRAM市场将在2025年第一季度出现显著的价格下跌，PC、服务器和GPU VRAM细分市场预计将出现大幅下跌。根据TrendForce的最新预测，季节性需求波动加上买家的战略库存管理正在推动下降趋势。
2025-01-02
DRAM 内存
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机构：台积电CoWoS今年扩产至约7万片，英伟达占总需求63%
台积电先进封装大扩产，其中CoWoS制程是扩充主力。随著群创旧厂购入后设备进机与台中厂产能扩充，2025年台积电CoWoS月产能将上看7.5万片。
2025-01-02
台积电 CoWoS 英伟达
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2024年韩国芯片出口大增43.9%，创历史新高
韩国产业通商资源部周三（1月1日）公布的数据显示，由于半导体出口的强劲增长，韩国2024年出口同比增长8.2%，达到6838亿美元，创下历史新高，超过了2022年6836亿美元的前纪录。
2025-01-02
芯片
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存储：AI影响加深，DRAM、NAND供需随动
高带宽内存（HBM）是2024年半导体领域的绝对热词。随着AI持续推动，2025年HBM大概率依旧霸榜。因为数据中心和AI处理器越来越多地依赖这种类型的存储器来处理庞大数据，缓解带宽压力。而激增的HBM需求也将影响2025年的DRAM市场供需，预计存储厂商将会优先生产HBM相关产品，而非传统型DRAM。此外随着A...
2025-01-02
存储 AI DRAM NAND
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传英伟达完成Blackwell GPU B300流片，性能提升50%
据SemiAnalysis报道，英伟达已经完成升级版Blackwell GPU，即B300芯片的流片，并透露了改进版的Grace-Blackwell组件，即GB300。
2024-12-31
英伟达 GPU B300流片
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传英特尔计划2025年推出24GB VRAM Battlemage GPU
看来英特尔准备在新一代产品中进一步提升VRAM容量，有消息称英特尔计划明年推出一款24GB Battlemage GPU。泄露的清单表明BMG-G21芯片上采用翻盖设计，理论上可容纳12个16Gb GDDR6模块。由于该报告声称这款GPU面向专业人士，因此它很可能是英特尔的Pro系列或Flex系列的指定产品。
2024-12-30
英特尔 AI GPU
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持续扩产！台积电两座CoWoS厂将于2028年量产
据中国台湾嘉义县县长表示，台积电先进封装厂CoWoS进驻嘉义科学园区，2028年两座厂将开始量产。据其透露，台积电CoWoS预计第一座先进封装厂2025年第三季度将完工装机，第二座厂2026年完工装机，2028年两座厂开始量产，为应对高科技厂商布局需求，南科管理局已启动嘉科二期90公顷扩建计划。
2024-12-30
台积电 CoWoS
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