【导读】1月29日，三星电子披露2025年Q4财报，凭借AI需求实现历史性增长。公司总营收与营业利润双双创新高，营业利润同比激增超200%，核心驱动力为高带宽内存（HBM）。受AI计算及数据中心需求拉动，HBM涨价助力三星重夺DRAM销冠，半导体部门贡献集团80%营业利润。SK海力士同期业绩亦创历史新高，两家韩系巨头的表现印证了AI对存储市场的强催化作用，双方HBM4技术竞赛更预示行业格局将深度调整。

三星电子第四季度总营收达到93.8万亿韩元（约合655.8亿美元），同比增长约24%，创历史新高。整体营业利润为20.1万亿韩元（约合140.5亿美元），同比增长超过200%，大幅超出市场预期；净利润为19.29万亿韩元（约合134.8亿美元），也显著高于分析师平均预期。

三星电子同时宣布计划回购3.57万亿韩元（约合25亿美元）的股份，以回馈股东。继公司股价在2025年实现翻倍之后，本月又上涨约35%，反映市场对其AI相关业务的高度预期和投资信心。

AI推动半导体芯片部门业绩大增

三星半导体部门贡献了其中的16.4万亿韩元（约合114亿美元）营业利润，贡献了集团80%的营业利润，远超分析师平均预期的10.85万亿韩元（约合75.6亿美元）。该部门运营利润的强劲增长主要得益于AI高性能计算服务器及数据中心对高带宽存储（HBM）产品的旺盛需求。

高带宽存储（HBM）相比标准DRAM，每单位内存所需晶圆产能约为三倍。这导致部分传统DRAM和NAND供应紧张，推动个人电脑和智能手机用存储芯片价格上升。这一供需紧张直接为三星电子和竞争对手SK海力士创造了显著收益。

SK海力士在1月28日公布的财报显示，该公司同样录得历史新高营收与利润。其HBM产品在AI市场需求推动下表现出强劲增长，成为公司盈利的重要支撑。Pictet资产管理高级投资经理李英宰（Young Jae Lee）表示：“SK海力士在HBM技术上仍领先，而三星电子正全力追赶。投资者将密切关注两家公司对存储市场前景的解读。”

两家公司在下一代HBM4技术的布局上也展开竞争，预计将配合英伟达即将发布的旗舰Rubin处理器使用。三星宣布已完成HBM4的开发，运行速度达11.7Gbps，计划于下个月开始向英伟达全面出货。

总结

三星与SK海力士的Q4业绩，印证了AI驱动的存储行业超级周期。HBM需求爆发重塑了头部厂商盈利结构与市场地位，推动全行业向高附加值产品转产，进而导致消费电子常规存储供应紧张、价格波动。三星下月起向英伟达全面供应HBM4，两家巨头的技术与产能博弈将加剧。短期韩系厂商持续享受AI内存红利，长期行业供需平衡取决于新增产能释放，技术迭代与产能分配将决定市场格局，产业链需在AI红利与供应链平衡间寻得支点。