【导读】特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616）开发了作为MOSFET的新系列产品XP231P02013R和XP232P05013R。
SOT-323-3A 封装
XP231P02013R（-30V耐压）和XP232P05013R（-30V耐压）是具有低导通电阻和高速开关特性的通用P沟道MOSFET产品。该产品可用于各种机器应用，如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电措施。
封装组件均采用了小型SOT-323-3A（2.1 x 1.25 x h0.95mm)，推动机器小型化。
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