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特瑞仕扩大了通用P沟道MOSFET产品XP231P02015R

发布时间:2020-05-25 责任编辑:lina

【导读】特瑞仕半导体株式会社(日本东京都中央区 董事总经理:芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616)开发了MOSFET新产品-- XP231P02015R(-30V耐压)。
   
特瑞仕半导体株式会社(日本东京都中央区 董事总经理:芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616)开发了MOSFET新产品-- XP231P02015R(-30V耐压)。

XP231P02015R(-30V耐压)是具有低导通电阻和高速开关特性的通用P沟道MOSFET产品。可用于各种机器应用,如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电措施。

封装组件均采用了小型SOT-523(1.6 x 1.6 x h0.9 mm),推动机器小型化。

特瑞仕扩大了通用P沟道MOSFET产品XP231P02015R
▲SOT-523 封装
 
特点

导通电阻 RDS(on)=5Ω@VGS =-4.5V
工作电压 -2.5V
环保相关 对应EU RoHS 指令、无铅
 
 
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