【导读】日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布超小尺寸20V芯片级MOSFET---Si8824EDB，新器件采用高度0.357mm的芯片级MICRO FOOT 0.8mm x 0.8mm封装的TrenchFET 20V N沟道，是20V MOSFET中导通电阻最低的器件，尺寸为1mm2或不到0.7mm2。超小的尺寸使器件在设备中能节省空间，降低功耗，并延长电池使用时间。
Si8824EDB适用于电源管理应用里的负载开关、小信号开关和高速开关，具有极低的导通电阻，在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下的导通电阻分别为75mΩ、82mΩ、90mΩ、125mΩ和175mΩ，比采用相同CSP封装的最接近的20V MOSFET最多低25%，比最接近的采用DFN 1mm x 0.6mm的20V器件最多低60%。MOSFET的VDS为20V，具有ESD保护功能，能在1.2V下启动，加上低导通电阻，使这颗器件同时具有安全裕量大、栅极驱动设计更灵活、高性能的优点，可用于锂离子电池供电的应用。
Si8824EDB的导通电阻与面积乘积极低，只有40mΩ-mm2，比DFN 1mm2封装的最接近的20V MOSFET低28%，在移动应用里能够节省空间，并降低电池功耗。器件的低导通电阻意味着器件在直流或脉冲峰值电流下的电压降非常低，以热的形式浪费的电能更少。MOSFET集成了ESD保护功能，保护电压达2000V，能够避免在加工或与人体接触过程中发生静电破坏。
Si8824EDB现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十四周到十六周。
