首页 > 采购中心 > 产品导购 > 文章详细页
英飞凌全新功率MOSFET大幅降低导通电阻和反向恢复电

上线时间:2016-10-30   作者:  责任编辑 susan


分享到:
0分
关键卖点 可以将导通电阻RDS(on) 大幅降低25%。在导通电阻相同的情况下,该产品家族的FOMg比上一代产品优化了高达29%。
目标应用 马达驱动、通讯电源。
一键购买 下载资料
【导读】英飞凌科技股份公司发布针对高能效设计和应用的OptiMOS™ 5 150 V产品组合。该产品家族进一步壮大了行业领先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的阵容。
 
新的150 V产品家族专门针对要求低电荷、高功率密度和高耐受性的高性能应用而优化。它是英飞凌面向低压马达驱动、通讯电源同步整流和DC/DC Brick同步整流,以及太阳能电源优化器等系统解决方案的重要组成部分之一。
 
 
更环保的技术
 
英飞凌坚持不懈地研发适用于高能效设计的产品,以帮助减少全球二氧化碳排放。OptiMOS™ 5 150 V有助于实现这一目标,它可以降低电信设备能耗,或者改善电动汽车的功率和续航里程。
 
 
与它的下一代最佳替代产品相比,采用SuperSO8封装的OptiMOS™ 5 150 V可以将导通电阻RDS(on) 大幅降低25%。在导通电阻相同的情况下,该产品家族的FOMg比上一代产品优化了高达29%。超低Qrr——比采用它的下一代最佳替代产品SuperSO8低72%——增强了通流耐受性。该产品家族的另一个杰出特性是其更出色的EMI性能。
 
 
采用SuperSO8封装的OptiMOS™ 5 150 V可以将导通电阻RDS(on) 大幅降低25%。超低Qrr——比采用SuperSO8封装仅次于它的替代产品低72%——增强了通流耐受性。
分享到:
推荐给同仁
0
0
查看全部评论
有人回复时发邮件通知我

关于我们 | About Us | 联系我们 | 隐私政策 | 版权申明 | 投稿信箱

反馈建议:editor@eecnt.com     客服电话:0755-26727371

Copyright © WWW.CNTRONICS.COM  All Rights Reserved 深圳市中电网络技术有限公司 版权所有   粤ICP备10202284号-1 未经书面许可,不得转载本网站内容。