你的位置:首页 > 新品 > 正文

英飞凌全新功率MOSFET大幅降低导通电阻和反向恢复电

发布时间:2016-10-31 责任编辑:susan

【导读】英飞凌科技股份公司发布针对高能效设计和应用的OptiMOS™ 5 150 V产品组合。该产品家族进一步壮大了行业领先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的阵容。
 
新的150 V产品家族专门针对要求低电荷、高功率密度和高耐受性的高性能应用而优化。它是英飞凌面向低压马达驱动、通讯电源同步整流和DC/DC Brick同步整流,以及太阳能电源优化器等系统解决方案的重要组成部分之一。
 
 
更环保的技术
 
英飞凌坚持不懈地研发适用于高能效设计的产品,以帮助减少全球二氧化碳排放。OptiMOS™ 5 150 V有助于实现这一目标,它可以降低电信设备能耗,或者改善电动汽车的功率和续航里程。
 
 
与它的下一代最佳替代产品相比,采用SuperSO8封装的OptiMOS™ 5 150 V可以将导通电阻RDS(on) 大幅降低25%。在导通电阻相同的情况下,该产品家族的FOMg比上一代产品优化了高达29%。超低Qrr——比采用它的下一代最佳替代产品SuperSO8低72%——增强了通流耐受性。该产品家族的另一个杰出特性是其更出色的EMI性能。
 
 
采用SuperSO8封装的OptiMOS™ 5 150 V可以将导通电阻RDS(on) 大幅降低25%。超低Qrr——比采用SuperSO8封装仅次于它的替代产品低72%——增强了通流耐受性。
特别推荐
技术文章更多>>
技术白皮书下载更多>>
热门搜索

关闭

关闭