你的位置:首页 > 新品 > 正文

Diodes新款MOSFET能确保低电源轨能够以最低通损耗进行开关

发布时间:2015-12-25 责任编辑:susan

【导读】Diodes公司新推出DFN2020封装P通道MOSFET产品--DMP1022UFDF以及DMP2021UFDF,新款MOSFET采用设计小巧的2mm x 2mm DFN2020封装,分别提供12V和20V的额定值。
 
两款MOSFET在低栅极驱动情况下提供低导通电阻,有效满足那些希望用简易的方法关闭低压电源轨的电路设计人员。这还确保低至1.5V的电源轨能够以最低通损耗进行开关。DMP1022UFDF在-2.5V栅极驱动下的导通电阻少于20mΩ;DMP2021UFDF在-1.8V栅极驱动下的导通电阻则少于26mΩ。以MOSFET作为高侧负载开关来关断闲置处理器核心和其它非活跃电路,能有效延长电池寿命。
 
新产品适用于追求高效电池管理的平板电脑、智能手机、超极本等便携式消费性电子产品的负载开关,以及物联网的应用。
 
新产品采用了占位面积仅4mm2的小型DFN2020封装,离板高度只有0.6mm,同样非常适合对空间要求严格的应用。这款封装还具有带散热漏极焊盘,其低于10°C/W的结点至焊盘热阻提供散热功能,从而降低裸片温度并提升器件可靠性。
 
DMP1022UFDF及DMP2021UFDF各以一万个为出货批量。
特别推荐
技术文章更多>>
技术白皮书下载更多>>
热门搜索
 

关闭

 

关闭