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IR推出车用40V 5x6mm双PQFN COOLiRFET™,为小功率电机提供基准性能

发布时间:2014-10-16 责任编辑:xueqi

【导读】近日,IR宣布推出两款40V车用COOLiRFET™ 功率MOSFET 产品——AUIRFN8459AUIRFN8458,为需要小体积、大电流的汽车应用,比如泵电机控制、车身控制等提供基准导通电阻(Rds(on))。
 
在采用IR最先进的COOLiRFET™ 40V 沟道技术的车用5x6mm双PQFN功率MOSFET产品系列中,AUIRFN8459AUIRFN8458是最先推出的两款产品。AUIRFN8459实现了基准性能,即每通道5.9mΩ的超低导通电阻,可承载50A大电流。
 
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“与传统的DPAK (TO-252) 封装相比,IR的AUIRFN8459AUIRFN8458 40V 5x6mm双PQFN COOLiRFET™器件的体积减小了50%以上,具有超低封装电阻、电感值和基准导通电阻,十分适合要求高效率、高功率密度和节省空间的传统12V汽车应用,比如电机控制应用。”
 
与SO-8封装相比,新型5x6mm双PQFN COOLiRFET™器件提供到电路板的低导热路径和更高的导热性能,具有更高的效率和功率密度,以及更低的整体系统成本。
 
所有 IR 车用MOSFET 产品都遵循IR要求零缺陷的汽车质量理念,并经过了动态和静态器件平均测试及100% 自动晶圆级目视检查。AEC-Q101 标准要求器件在经过1,000次温度循环测试后,导通电阻变化幅度不能超过20%。
 
新器件符合 AEC-Q101 标准要求,采用的物料清单环保、不含铅,也符合电子产品有害物质管制规定(RoHS) 。 
 
规格 
 

器件编号

封装

V(BR)DSS
(V)

10v下的最大
导通电阻 (mΩ)

TC为25°C时
的最大ID (A)

10VGS下的
QG典型值(nC)

AUIRFN8459TR

5x6mm 双PQFN

40V

5.9mΩ

50A

40nC

AUIRFN8458TR

5x6mm 双PQFN

40V

10mΩ

43A

22nC

 
产品现正接受批量订单。相关数据请浏览IR的网站www.irf.com。Spice模型应要求提供。 
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