【导读】Diodes新推出的三款小信号MOSFET包括了20V和30V额定值的N通道晶体管，以及30V额定值的P通道器件，产品全都采用了DFN0606微型封装，进一步为空间要求严格的产品设计扩充旗下超小型分立器件产品系列。每个器件的电路板占位面积仅0.6mmx0.6mm，比一般采用DFN1006(SOT883)封装的MOSFET小40%，是下一代可穿戴科技产品、平板电脑及智能手机的理想之选。
DMN2990UFZ(20V nMOS通道)、DMN31D5UFZ(30V nMOS通道)和DMP32D9UFZ(30V pMOS通道) 能够提供与大多数大型封装器件相同甚至更佳的电气性能。新产品旨在尽量降低导通电阻，并同时维持卓越的开关性能。此外，器件的典型阈值电压低於1V，这种低开启电压适合单电池工作模式。
全新微型MOSFET非常适合进行高效率功率管理，还可作为通用介面及简单的模拟开关。这些DFN0606封装器件的功耗达到300mW，使电路功率密度得以提升。
