【导读】近日，IR 针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件，包括IRL6297SD双N通道DirectFET MOSFET，为移动应用提供具有成本效益的灵活解决方案。
全新功率MOSFET具有极低的导通电阻，可大幅减少导通损耗。产品可作为N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高栅极驱动从12 Vgs起，非常适合包含了两个串联电池的电池保护电路。IRL6297SD在精密且能高效散热的小罐式DirectFET封装内提供两个采用共漏极配置的20V N通道MOSFET。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR拥有适合电池管理的广泛的MOSFET产品系列，提供行业标准封装以及适合精密设计的小罐式双DirectFET封装。新器件具有低导通电阻，可替代采用较大封装的MOSFET，从而节省电路板空间及系统成本。”
所有新产品均不含铅、溴和卤，符合第一级湿度敏感度标准 (MSL1) 及电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
规格
|
器件 |
通道类型 |
配置 |
封装 |
VBRDSS(V) |
最大VGS(V) |
4.5V下的最大 |
2.5V下的最大 |
典型QG(nC) |
|
N |
双共漏极 |
DirectFET SA |
20 |
12 |
4.9 |
6.9 |
54 |
|
|
P |
单 |
SOT-23 |
-20 |
12 |
-135 |
-236 |
2.9 |
|
|
P |
单 |
SOT-23 |
-20 |
12 |
-54 |
-95 |
6.9 |
|
|
N |
单 |
SOT-23 |
20 |
12 |
21 |
27 |
8.9 |
|
|
N |
单 |
SOT-23 |
20 |
12 |
46 |
66 |
3.5 |
|
|
N |
单 |
SOT-23 |
30 |
12 |
29 |
37 |
6.8 |
|
|
N |
单 |
SOT-23 |
30 |
12 |
63 |
80 |
2.9 |
|
|
P |
单 |
PQFN 2x2 |
-20 |
12 |
-31 |
-53 |
12 |
|
|
N |
单 |
PQFN 2x2 |
20 |
12 |
11.7 |
15.5 |
14 |
|
|
N |
双独立 |
PQFN 2x2 |
20 |
12 |
45 |
62 |
3.1 |
|
|
N |
单 |
PQFN 2x2 |
30 |
12 |
15.5 |
19.5 |
11 |
|
|
N |
双独立 |
PQFN 2x2 |
30 |
12 |
63 |
82 |
2.8 |
|
|
P |
单 |
TSOP-6 |
-20 |
12 |
-32 |
-55 |
12 |
|
|
N |
单 |
TSOP-6 |
30 |
12 |
17.5 |
22 |
11 |
产品现正接受批量订单。相关数据及MOSFET产品选型工具，请浏览IR的网站http://www.irf.com。
