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东芝扩展了采用可提高电源效率的新一代工艺的150V N沟道MOSFET

发布时间:2023-03-30 责任编辑:wenwei

【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布推出采用新一代工艺的“U-MOS X-H系列”新产品,扩展了150V N沟道功率MOSFET的产品线。该系列产品适用于通信设备的开关电源等应用。它们是漏源导通电阻为14.1mΩ的“TPH1400CQH”和漏源导通电阻为48mΩ的“TPN4800CQH” 。两款产品均采用表面贴装封装。


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与采用前一代工艺的U-MOS VIII-H系列150V产品相比,新产品降低了漏源导通电阻。同时,器件结构的优化改善了漏源导通电阻与输出电荷之间的平衡[1],并且具有业界领先[2]的低功耗。此外,产品还降低了开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压,有助于减少开关电源的电磁干扰(EMI)。


注:


[1]降低了漏源导通电阻(典型值)×输出电荷(典型值),即开关应用的品质因数。


TPH1400CQH:与现有产品TPH1500CNH(U-MOS VIII-H系列)相比下降约41%。


TPN4800CQH:与现有产品TPN5900CNH(U-MOS VIII-H系列)相比下降约20%


[2]在具有相同额定值的产品中进行比较,根据东芝调查(截至2023年1月)。


应用


●   通信设备电源

●   开关电源(高效DC-DC转换器等)


特性


●   具有业界领先的低功耗特性[2]。

   (改善导通电阻与输出电荷之间的平衡)

●   低导通电阻:

     TPH1400CQH RDS(ON)=14.1mΩ(最大值)(VGS=10V)

     TPN4800CQH RDS(ON)=48mΩ(最大值)(VGS=10V)

●   高结温额定值:Tch(最大值)=175°C

 

主要规格


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注:

[3]之前发布的产品


引脚分布


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应用电路示例


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注: 

本文所示应用电路仅供参考。

需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。

提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。



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