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EPC推出100 V、3.8 mΩ 的氮化镓场效应晶体管

发布时间:2022-10-26 责任编辑:wenwei

【导读】宜普电源转换公司(EPC)新推100 V、3.8 mΩ 的氮化镓场效应晶体管EPC2306,为高功率密度应用提供性能更高和更小的解决方案,包括 DC/DC 转换、AC/DC 充电器、太阳能优化器和微型逆变器、电机驱动器和D类音频放大器等应用。


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宜普电源转换公司是增强型氮化镓(eGaN®)功率FET和IC领域的全球领导者,新推100 V、采用耐热增强型QFN封装的EPC2306,用于高密度计算应用的48 V DC/DC转换、电动汽车和机器人的48 V BLDC 电机驱动器、太阳能优化器和微型逆变器,以及 D 类音频放大器。


EPC2306 GaN FET具有超小的导通电阻(仅为 3.8 mOhm)以及非常小的QG、QGD 和 QOSS 参数,可实现低导通和开关损耗。它采用耐热增强型 QFN 封装,从顶部散热,占板面积仅为3 mm x 5 mm,为最高功率密度应用提供超小型化的解决方案。


EPC2306与之前推出的100 V、1.8 mOhm EPC2302 都是封装兼容,从而允许设计工程师在导通电阻与价格之间权衡,在相同PCB布局兼容两种器件的封装尺寸,从而可实现效率或成本优化的解决方案。


宜普电源转换公司首席执行官兼联合创始人Alex Lidow说:“EPC2306 结合了100 V氮化镓场效应晶体管的优势和易于组装的QFN封装而没有降低性能。设计人员可以利用我们的封装GaN FET系列,实现用于电动汽车和无人机的更轻且以电池供电的BLDC电机驱动器;用于数据中心、数据通信、人工智能的更高效48 V输入DC/DC转换器,以及用于其他工业及消费应用。”


开发板


EPC90145 开发板采用最大器件电压为 100 V、最大输出电流为45 A的半桥器件EPC2306 GaN FET,旨在简化评估过程以加快产品推出市场时间。这款 2“ x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)开发板专为实现最佳开关性能而设计和包含了所有关键组件,便于评估。


价格和供货


EPC2306以1000片为单位批量购买,每片价格为3.08美元。


EPC90145开发板的单价为200美元。


所有器件和开发板都可从Digi-Key立即发货,网址为https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc。


有兴趣用GaN解决方案替换其硅MOSFET的设计人员可使用EPC GaN Power Bench的交叉参考工具,根据您所需的特定工作条件,我们会推荐合适的替代方案。交叉参考工具可在以下网页找到:交叉參考搜索 (epc-co.com)。



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