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三星NAND材料价值链生变 将引入钼元素
三星正在其第9代V-NAND的金属化工艺过程中应用钼（Mo）。消息人士称，三星已从泛林集团引进5台钼沉积机用于该工艺，并且计划明年再引进20台此类设备。
2024-07-04
三星 NAND
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小摩：数据中心未来三年都要涨价
摩根大通指出，未来四年数据中心持续缺口，将使资料中心的议价能力提升，导致其租赁价格上升。
2024-07-03
小摩 数据中心
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AI浪潮助推硅晶圆用量增加
硅晶圆产业今年受到客户因持续执行长约进料，造成库存消化速度较慢，而终端需求包括手机、电脑等的回升速度较慢，所以上半年仍有库存的影响，但在AI持续发展，包括AI需要使用的HBM以及先进封装结构改变，都需要多增加使用硅晶圆，随着库存去化、AI发展以及换机潮可望启动下，硅晶圆产业明年展望乐观。
2024-07-03
HBM 硅晶圆 AI
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这些存储厂乐见传统DRAM产能遭
AI趋势为存储用量增长最为显著的驱动力，且AI服务器对HBM需求急增，辅以龙头晶圆厂聚焦生产HBM及DDR5产品，相对将使2025年传统DRAM产能遭排挤近40 万片/月，推升DDR3、DDR4合约价续涨，而DRAM市占排名居三大原厂之后的南亚科、华邦电，则有望提升产品定价能力，成为最大受惠者。
2024-07-03
美光 三星 SK海力士 南亚科 华邦电 存储厂 DRAM
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HBM市场竞争现状
据韩媒《朝鲜日报》报道，美光进军高带宽内存（HBM）市场，打破了三星电子和SK海力士长期以来的主导地位。尽管是后来者，但美光在第二季度开始向英伟达供应少量产品，在HBM领域形成了三路竞争。
2024-07-03
HBM 三星电子 SK海力士
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铠侠产能满载 传7月量产最先进NAND
据MoneyDJ报道，铠侠产线稼动率已在6月回升至100%水准、且将在7月内量产最先进存储芯片(NAND Flash)产品，借此开拓因生成式AI普及而急增的数据存储需求。据悉，铠侠将开始量产的NAND Flash产品堆叠218层数据存储元件，和现行产品相比，存储容量提高约50%，写入数据时所需的电力缩减约30%。
2024-07-03
铠侠 NAND
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苹果寻求LG显示和三星显示为更便宜的头显供应Micro-OLED屏
据报道，苹果正在寻求LG显示（LG Display）和三星显示（Samsung Display）为更便宜的Vision头显提供Micro-OLED显示屏。
2024-07-02
苹果 LG显示 三星显示 Micro-OLED屏
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三星拟调涨存储器价格 台厂沾光有助改善下半年营收
南韩媒体报导，由于人工智能（AI）的需求激增，三星电子计划第3季把服务器用的DRAM和企业级NAND快闪存储器的价格提高15%~20%，有助于改善下半年业绩表现。业界看好，在龙头三星喊涨下，将助攻南亚科（2408）、威刚、十铨、创见等后市营运动能。
2024-07-02
三星 存储器 AI
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分析称下半年DRAM价格将持续上涨，NAND库存问题或再度浮现
为抢夺AI芯片商机，全球三大存储芯片厂商三星、SK海力士与美光，现阶段皆积极将DRAM产能转为生产HBM，这导致DRAM供给减少，而由于DDR5供给有限，以及三大厂商陆续停产DDR4/DDR3，为其它存储厂商创造价格上涨空间。
2024-07-02
三星 SK海力士 美光 DRAM NAND
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