【导读】全球存储市场正迎来强劲复苏，2025年第四季度DRAM与NAND合约价预计涨幅达15%-20%，DDR4现货价格同步走高，市场库存快速去化。在这一波景气回升中，AI驱动的高带宽内存（HBM）需求成为核心引擎，其封装测试订单已排期至2026年，封测企业产能利用率与毛利率同步提升。随着英伟达Blackwell Ultra GPU量产推进及CoreWeave签署63亿美元AI算力合同，HBM供需缺口进一步扩大，封测环节作为产业链关键瓶颈，正迎来量价齐升的黄金期。
全球存储市场正迎来强劲复苏，2025年第四季度DRAM与NAND合约价预计涨幅达15%-20%，DDR4现货价格同步走高，市场库存快速去化。在这一波景气回升中，AI驱动的高带宽内存（HBM）需求成为核心引擎，其封装测试订单已排期至2026年，封测企业产能利用率与毛利率同步提升。随着英伟达Blackwell Ultra GPU量产推进及CoreWeave签署63亿美元AI算力合同，HBM供需缺口进一步扩大，封测环节作为产业链关键瓶颈，正迎来量价齐升的黄金期。
HBM需求暴增的驱动因素
AI服务器算力升级对HBM性能提出更高要求。英伟达Blackwell Ultra GPU将采用8颗12层堆叠HBM3E，单芯片内存容量提升至36GB，而AMD的Instinct MI350系列更支持288GB HBM3E内存。这些高端AI芯片的放量直接推动HBM需求指数级增长。据Yole Group预测，2024年至2030年HBM市场年复合增长率将达33%，2030年市场规模有望突破980亿美元。
另一方面，AI模型参数规模膨胀加剧了“内存墙”问题。以DeepSeek R1为代表的MoE模型虽降低算力需求，但对内存容量要求更高，进一步刺激HBM在数据中心与边缘设备中的应用。三星、SK海力士等原厂将HBM产能优先分配至AI客户，传统DRAM产能被挤压，间接推动存储全线上涨。
封测环节的供需紧张与价值重估
HBM封装技术复杂度高，12层堆叠需通过TSV垂直连接与MRMUF散热技术解决翘曲和热管理难题。目前全球具备量产能力的封测厂有限，台积电CoWoS产能虽计划从2023年1.5万片增至2025年底5万片，仍难以满足需求。
订单溢出效应明显，力成、南茂、华泰等厂商已获得客户追加投片，订单能见度覆盖至年底。随着HBM供给持续紧张，封测厂议价能力增强，部分产品线报价存在上调空间。此外，HBM还带动电源管理IC、接口IC等周边芯片封装需求，中高阶测试产能利用率同步提升。
产业链格局与未来趋势
HBM市场格局正从SK海力士、三星双强争霸转向三足鼎立。美光凭借HBM3E技术快速追赶，2025年份额有望升至23%。三星为扭转劣势，近期将HBM4研发团队调至HBM3E产线优化良率，其12层HBM3E产品于9月19日通过英伟达认证。
未来一年，HBM供需紧张态势难以缓解。TrendForce指出，2025年英伟达在HBM3E采购中的占比可能突破70%。而封装产能扩张周期长于晶圆制造，台积电CoWoS产能瓶颈短期内仍将制约HBM整体供给。与此同时，HBF（高带宽闪存）等新技术已崭露头角，计划2026年推出样品，旨在弥补HBM容量短板，进一步拓展AI存储边界。
结语
HBM封装订单排期至2026年，标志AI存储浪潮已深度重构封测行业生态。在供需失衡与技术升级双轮驱动下，封测厂商从被动代工转向战略合作环节，议价能力和盈利空间持续改善。随着HBM4、HBF等下一代技术逐步成熟，封测产业有望在AI硬件革命中扮演更核心角色。
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