【导读】据权威机构TechInsights最新报告，长江存储凭借其创新的Xtacking 4.0技术，成功实现267层3D NAND TLC芯片的规模化量产，同时，更高层级的300层以上技术布局也已紧锣密鼓地展开。
据权威机构TechInsights最新报告，长江存储凭借其创新的Xtacking 4.0技术，成功实现267层3D NAND TLC芯片的规模化量产，同时，更高层级的300层以上技术布局也已紧锣密鼓地展开。
长江存储的Xtacking架构以其独特的“阵列-逻辑分离”设计脱颖而出，通过晶圆对晶圆的混合键合技术，实现了高性能与高密度的完美结合。在最新的Xtacking 4.0版本中，铜-铜直接键合的对准精度被提升至次微米级别，这一突破不仅优化了信号传输路径，还显著减薄了芯片厚度，为研发更高层数的NAND技术奠定了坚实基础。
报告详细披露了长江存储在267层NAND芯片中的多项优化设计。通过精细调控模厚工程与垂直通道孔设计，芯片通道孔数被巧妙设定为16个，垂直通道间距（VCP）则精确控制在132纳米，从而在高密度与制程可控性之间找到了完美的平衡点。此外，长江存储还创新性地引入了“无阶梯式字线接触（Stairless WLC）”结构，这一设计不仅大幅降低了制程复杂度，还有效减少了边缘面积的浪费，为迈向300层以上的技术高峰铺平了道路。
尽管当前长江存储仍面临着美国出口管制等外部限制，但凭借Xtacking架构的独特优势，公司在技术演进中依然保持着强劲的竞争力。随着NAND技术不断向300层迈进，混合键合精度、应力工程以及新型结构设计将成为行业竞争的关键所在。未来，长江存储能否持续突破良率提升与供应链优化的双重难题，将直接决定其在全球NAND市场中的竞争地位。
结语
长江存储在NAND闪存领域的技术突破，不仅彰显了其在半导体行业的创新实力，也为全球NAND市场的竞争格局带来了新的变数。随着技术的不断演进和市场的持续拓展，长江存储有望在全球NAND市场中占据更加重要的地位。
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