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三星HBM3E通过认证,全球HBM市场三足鼎立格局成型
三星电子12层HBM3E产品正式通过英伟达认证,标志着其成为继SK海力士、美光之后第三家进入英伟达HBM核心供应链的厂商。这一突破不仅为三星扭转HBM竞争劣势注入强心剂,更将全球HBM技术竞争焦点引向2026年量产的HBM4,AI算力存储市场格局面临重塑。
2025-09-22
三星HBM3E 英伟达 HBM4技术 AI芯片存储 HBM3E与HBM4区别 SK海力士 美光HBM
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AI推理需求引爆存储危机:近线硬盘缺货,QLC SSD将迎爆发增长
一场由AI推理需求引发的存储供应链危机正在全球数据中心蔓延。根据TrendForce最新研究,作为传统海量数据存储基石的Nearline HDD(近线硬盘)已出现严重供应短缺,交货期从数周急剧延长至52周以上。
2025-09-22
QLC SSD爆发增长 Nearline HDD缺货 企业级SSD市场 数据中心存储架构
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台积电客户格局生变,博通成2026年最大“黑马”
全球半导体AI竞赛持续升温,台积电2026年大客户排名预计将迎来显著洗牌。苹果凭借长期产能预订稳居最大客户,而博通因携手OpenAI等AI领域关键客户,有望从2025年的第六位跃升至第二位,成为台积电客户中最大的黑马。
2025-09-22
台积电 博通 英伟达
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存储市场供需逆转:三星调涨Q4价格,DRAM最高涨幅30%
全球存储巨头三星电子已正式通知客户,计划在2025年第四季度上调移动端DRAM和NAND Flash合约价。其中LPDDR4X、LPDDR5/5X等DRAM产品涨幅达15%-30%,eMMC/UFS等NAND闪存产品涨幅为5%-10%。
2025-09-22
三星 DRAM 存储合约价上涨 HBM产能挤压 AI存储 三星美光涨价对比
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芯片工艺迎来新突破!联发科全球首发2nm芯片流片成功
联发科(MediaTek)宣布其首款采用台积电2纳米制程的旗舰系统单芯片(SoC)已成功完成设计流片(Tape out),成为全球首批采用这一尖端技术的公司之一。
2025-09-19
联发科 2nm芯片 台积电 天玑9600 GAA晶体管技术
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全球NAND闪存涨价潮来袭:美光暂停报价,群联调涨10%
全球NAND闪存市场正经历一场前所未有的供应紧张和价格上涨浪潮。2025年9月,主要存储芯片制造商纷纷采取暂停报价和调价策略,美光科技率先宣布暂停所有存储产品报价一周,随后群联电子也跟进类似策略。
2025-09-19
NAND闪存涨价 存储芯片价格 美光暂停报价 群联涨价 AI存储
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AI投资暗藏风险:科技巨头真实资本开支被低估,2027年或引发价格战
美银与摩根士丹利最新研究显示,亚马逊、谷歌等五大科技巨头的真实AI投资规模因表外工具而被市场低估,其资本开支强度已接近互联网泡沫峰值水平,供需失衡最早可能在2027年引发云服务价格战。
2025-09-19
AI 云服务 AI投资规模 云服务价格战 摩根士丹利AI报告 美银AI分析
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美光科技股价年内翻倍,AI存储需求驱动业绩增长新周期
全球存储芯片市场正迎来新一轮增长周期。2025年9月,美光科技(Micron Technology)股价表现强劲,创下历史新高,年内累计涨幅突破100%,大幅超越同期费城半导体指数的表现。
2025-09-19
美光科技 HBM内存 AI存储芯片 存储芯片涨价 半导体板块
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DRAM内存迎涨价潮:10月涨幅预计双位数,供需紧张态势将延续至2026年底
全球存储市场在生成式AI与大型云端服务商急单带动下,正式进入新一轮上涨周期,预计2025年10月DDR4与DDR5内存合约价和现货价均将实现双位数涨幅。
2025-09-19
DRAM涨价 DDR4 DDR5 存储市场 AI存储 内存模组厂商 南亚科业绩
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