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传HBM良率仅为65%,存储大厂力争通过英伟达测试
HBM高带宽存储芯片被广泛应用于最先进的人工智能(AI)芯片,据业界消息,英伟达的质量测试对存储厂商提出挑战,因为相比传统DRAM产品,HBM的良率明显较低。
2024-03-07
英伟达 HBM 存储
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环球晶:下半年需求升温
硅晶圆大厂环球晶董事长徐秀兰表示,本季业绩是低谷,第2季持平或小增,下半年需求将比上半年好,估计全年营收持平或个位数微幅增长,毛利率则持平或小减,明年展望会更好。
2024-03-07
环球晶 硅晶圆
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2月DRAM价格持平,NAND价格连续5个月上涨
据数据统计,2月份PC DRAM通用产品(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz)的平均固定交易价格为1.8美元,与上月持平。价格较去年同月下降0.55%。
2024-03-07
DRAM NAND
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美光量产HBM3E高带宽内存 用于英伟达H200二季度出货
美光近日宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽内存解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存,并于 2024 年第二季度开始出货。
2024-03-07
美光 HBM3E 英伟达 H200
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南亚科2月营收年增逾42%,DRAM上半年上涨机会较大
存储大厂南亚科公布2024年2月份自结合并营收,受惠内存市场的复苏,使得营收金额来到新台币30.51亿元,较1月减少0.32%,较2023年同期增加50.56%。累计,合并营收为新台币61.12亿元,较2023年同期增加42.87%。
2024-03-06
南亚科 DRAM 存储
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IDC:全球智能手机产业链平稳成长,H1出货保守
据IDC最新《全球智能手机供应链追踪报告》显示,全球十大品牌厂商透过营销、产品策略进行高低端市场攻防战,去年第四季全球智能手机产业制造规模比上季与去年同期大幅成长14.3%、12.5%。
2024-03-06
IDC 智能手机
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宇瞻:存储将逐季涨价,Flash到8月前供不应求
存储模组厂商宇瞻召开发布会,针对今年存储行情,总经理张家騉引述研调机构资料表示,在DRAM部分,DDR5的渗透率上升的很快,尤其在AI风潮下,新的NB都是以DDR5切入,所以DDR5从本来的供过于求,到上半年都会是供不应求;Flash部分,去年开始减产,估到8月前都会是供不应求,之后才会渐达到供需平衡。
2024-03-06
宇瞻 存储 Flash
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机构看好今年内存产品销售暴涨71%
调研TechInsights更新2024年全年IC销售额预测,将此前的增长16%调高至24%,其中内存产品销售额将大幅增长。机构表示,预计2024年全球内存产品销售额将大涨71%,远高于此前41%的预测幅度。
2024-03-06
内存
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车用芯片需求两极化 !驱动IC拉货缓慢复苏
据台媒电子时报报道,近期汽车供应链明显感受到客户拉货出现一些不稳定性,在车用芯片领域,也出现需求热度两极的情况。部分产品有明显的库存去化效应,部分产品出货动能则相对稳健。
2024-03-06
车用芯片 驱动IC
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