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NAND市场复苏在即，铠侠预计NAND需求年增20%
随着全球人工智能数据中心建设的迅猛推进，NAND闪存市场正迎来强劲的增长周期。铠侠（Kioxia）作为行业核心供应商，预判未来几年NAND需求将维持约20%的年增长率。为应对这一趋势，公司已启动北上新厂产能并规划五年内实现产能翻倍，以把握AI基础设施带来的长期市场机遇。
2025-10-09
铠侠NAND 存储需求 3D NAND 投资 企业级SSD 存储芯片
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NAND Flash市场逆转：四季度价格全面看涨，AI需求驱动格局生变
2025年第四季度，NAND Flash市场迎来显著转折。据TrendForce集邦咨询最新报告，受QLC企业级固态硬盘（SSD）需求外溢效应推动，第四季度NAND Flash各类产品合约价预计全面上涨，平均涨幅达5%-10%，打破了此前市场对价格进入盘整期的预期。这一变化源于HDD供给短缺及生成式AI存储需求爆发的双重影响，...
2025-09-29
NAND Flash QLC SSD需求 企业级存储 AI服务器存储 HDD短缺
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2025年：三星2nm晶圆代工降价“突围”，能否撼动台积电？
在半导体制造的激烈战场中，2nm制程晶圆代工领域正上演着一场惊心动魄的“价格与市场争夺战”。2025年，三星电子（005930.KS）率先出招，将其2nm（SF2）制程晶圆的代工报价大幅下调至20000美元，这一动作犹如一颗重磅炸弹，在行业内掀起了层层波澜，其目标直指应对台积电在该领域的强势竞争。
2025-09-28
三星 2nm晶圆代工 台积电2nm 特斯拉
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SK海力士加速1c纳米GDDR7量产，瞄准英伟达与特斯拉供应链
韩国存储芯片制造商SK海力士正积极推进基于10纳米级第六代（1c）DRAM的GDDR7图形记忆体量产计划。这一技术突破预计最快于2025年年底在韩国利川M16工厂实现规模化生产。
2025-09-28
SK海力士 GDDR7 1c纳米 DRAM 图形存储器
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三足鼎立：全球HBM市场竞争白热化，三星加速追赶
市场研究机构Counterpoint Research最新预测指出，三星电子明年在HBM市场的份额将突破30%。这一增长预期得益于三星近期已通过英伟达HBM3E认证，以及其HBM4技术即将量产带来的竞争优势。
2025-09-26
三星 HBM HBM4 技术 英伟达 美光
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亚洲芯片霸权：全球75%产能集中，中国成熟制程占33%
国际信用评级机构穆迪最新报告指出，亚洲目前掌握全球超过75%的芯片制造产能，覆盖逻辑芯片、存储芯片和DAO芯片（分立、模拟、光电子和传感器）领域。
2025-09-26
芯片 成熟制程
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威刚凭借低价库存策略，DRAM业务盈利大增
2025年第三季度，威刚科技凭借其提前储备的低价DRAM库存，在市场价格上涨背景下实现显著盈利转化。 随着DRAM价格自第二季度以来大幅上涨，公司营收与毛利率同步提升。
2025-09-25
威刚 DRAM DDR4 涨价 AI 服务器 存储模组
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联发科天玑9500发布：3nm工艺加持，性能超越苹果A19 Pro
联发科在深圳正式发布年度旗舰芯片天玑9500。这款芯片采用台积电第三代3nm制程（N3P工艺），集成超过300亿个晶体管，成为联发科有史以来性能最强大的移动平台。
2025-09-25
联发科 天玑9500 第三代3纳米制程 台积电N3P
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NAND Flash价格进入上升通道，2026年涨幅最高达20%
全球存储市场迎来转折点。研究机构TrendForce最新报告指出，NAND Flash第四季度合约价将全面上涨5-10%。而到2026年上半年，涨幅可能进一步扩大至15-20%。这一变化标志着存储市场正式进入新一轮上升周期。
2025-09-25
NAND Flash QLC SSD 需求 存储市场 AI 数据中心 企业级 SSD
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