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AI拉动内存需求
分析机构指出，由于AI的普及，边缘AI设备对DRAM的需求正在大幅增长，预计这一趋势将在未来几年内为存储供应商带来巨大利益。
2024-06-20
AI 内存
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2024年Q2原厂DRAM技术最新进展
据Tech Insights更新的2024年第二季内存技术路线图显示，三星和SK海力士已将D1a和D1b单元设计的产品商业化，包括DDR5、LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X，采用最小的12纳米级DRAM单元设计。两家公司都率先采用EUV光刻技术，而美光科技则继续采用基于ArF和ArFi的图案化技术直至其1α和1β代，并计划在1γ代中引...
2024-06-20
DRAM技术
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慧荣扩增团队意在AI
NAND Flash控制IC大厂慧荣科技18日宣布扩增经营及研发团队，任命徐仁泰博士为演算法与技术研发副总经理、郑道为营运制造副总经理及Tom Sepenzis为投资人关系（IR）资深协理。
2024-06-20
慧荣 AI
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2024年Q2原厂3D NAND技术最新进展
据Tech Insights更新的2024年第二季闪存技术路线图显示，铠侠和西部数据继续采用他们的BiCS结构，最近升级到162层 BiCS 6。他们计划跳过BiCS 7，转向218层，甚至可能是284层的BiCS 8。美光科技将其128层产品转向CTF CuA集成，并随后发布了176层和232层版本。他们现在正在开发300层以下的Gen7，可能...
2024-06-19
3D NAND技术
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苹果、英伟达接受晶圆涨价
摩根士丹利（大摩）出具最新报告指出，苹果宣布Apple Intelligence，预示云端运算（苹果硅芯片/AI服务器）和边缘AI（iPhone处理器）都有优秀发展前景，AI半导体需求持续提升。
2024-06-19
苹果 英伟达 晶圆
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三星今年将推出3D HBM芯片封装服务
据The Korea Economic Daily报道，业内人士透露，三星电子公司将于年内推出高带宽内存 (HBM) 三维 (3D) 封装服务，该技术预计将出现在2025年推出的HBM4中。
2024-06-19
三星 3D HBM 芯片封装
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NAND原厂齐增产引业界担忧涨势放缓
据The Chosun Daily报道，韩国芯片制造商三星电子和SK海力士以及日本的铠侠一直在提高NAND闪存芯片的产量。这一转变发生之际，今年内存芯片需求反弹后，该行业的NAND闪存供应过剩状况有所缓解。
2024-06-19
NAND 三星电子 SK海力士 铠侠
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硅晶圆厂商环球晶：硅晶圆端明显回温或在明年
中国台湾最大半导体硅晶圆厂环球晶董座徐秀兰表示，客户需求比预期缓，拉货意愿持续保守，下半年逐步提升中，但没预期好，较上半年增幅有限，原估计今年会成长二至三倍的化合物半导体业务也难逃价格压力，成长幅度将降至五成。环球晶仍力拚今年营运「季季高」，但增幅可能比原预期少。
2024-06-19
环球晶 硅晶圆
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HBM影响，DDR5价格恐涨20%
供应链透露，上游原厂HBM订单不仅2025年预订一空，订单能见度甚至将看到2026年第1季，但HBM排挤太多DRAM产能，势必将推动DDR5价格逐步拉升。
2024-06-18
HBM DDR5
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