-
这些存储厂乐见传统DRAM产能遭
AI趋势为存储用量增长最为显著的驱动力,且AI服务器对HBM需求急增,辅以龙头晶圆厂聚焦生产HBM及DDR5产品,相对将使2025年传统DRAM产能遭排挤近40 万片/月,推升DDR3、DDR4合约价续涨,而DRAM市占排名居三大原厂之后的南亚科、华邦电,则有望提升产品定价能力,成为最大受惠者。
2024-07-03
美光 三星 SK海力士 南亚科 华邦电 存储厂 DRAM
-
HBM市场竞争现状
据韩媒《朝鲜日报》报道,美光进军高带宽内存(HBM)市场,打破了三星电子和SK海力士长期以来的主导地位。尽管是后来者,但美光在第二季度开始向英伟达供应少量产品,在HBM领域形成了三路竞争。
2024-07-03
HBM 三星电子 SK海力士
-
铠侠产能满载 传7月量产最先进NAND
据MoneyDJ报道,铠侠产线稼动率已在6月回升至100%水准、且将在7月内量产最先进存储芯片(NAND Flash)产品,借此开拓因生成式AI普及而急增的数据存储需求。据悉,铠侠将开始量产的NAND Flash产品堆叠218层数据存储元件,和现行产品相比,存储容量提高约50%,写入数据时所需的电力缩减约30%。
2024-07-03
铠侠 NAND
-
苹果寻求LG显示和三星显示为更便宜的头显供应Micro-OLED屏
据报道,苹果正在寻求LG显示(LG Display)和三星显示(Samsung Display)为更便宜的Vision头显提供Micro-OLED显示屏。
2024-07-02
苹果 LG显示 三星显示 Micro-OLED屏
-
三星拟调涨存储器价格 台厂沾光有助改善下半年营收
南韩媒体报导,由于人工智能(AI)的需求激增,三星电子计划第3季把服务器用的DRAM和企业级NAND快闪存储器的价格提高15%~20%,有助于改善下半年业绩表现。业界看好,在龙头三星喊涨下,将助攻南亚科(2408)、威刚、十铨、创见等后市营运动能。
2024-07-02
三星 存储器 AI
-
分析称下半年DRAM价格将持续上涨,NAND库存问题或再度浮现
为抢夺AI芯片商机,全球三大存储芯片厂商三星、SK海力士与美光,现阶段皆积极将DRAM产能转为生产HBM,这导致DRAM供给减少,而由于DDR5供给有限,以及三大厂商陆续停产DDR4/DDR3,为其它存储厂商创造价格上涨空间。
2024-07-02
三星 SK海力士 美光 DRAM NAND
-
三星德州泰勒晶圆厂或于2026年生产2nm工艺
随着行业竞争演变,三星或将调整其先进制程生产战略。据报道,三星正采取措施,将其位于德克萨斯州泰勒市的晶圆厂的生产开始时间定在2026年(而不是2024年),并可能从2nm制造工艺开始。
2024-07-02
三星 晶圆
-
消息称苹果已经加单A18芯片,备货最高可达1亿颗!
供应链透露,苹果已调高A18芯片订单规模,达到9000万-1亿规模。按照苹果更新iPhone的规律来看,今年iPhone 16的变化不会小了,拍照、内存等都必然有大升级。
2024-07-02
苹果 A18芯片
-
国内5月手机市场出货年增16.5%
据中国信通院发布数据显示,2024年5月,国内市场手机出货量3032.9万部,年增16.5%;其中,5G手机2553.1万部,年增26.6%,占同期手机出货量的84.2%。
2024-07-01
手机
- 如何解决在开关模式电源中使用氮化镓技术时面临的挑战?
- 不同拓扑结构中使用氮化镓技术时面临的挑战有何差异?
- 集成化栅极驱动IC对多电平拓扑电压均衡的破解路径
- 多通道同步驱动技术中的死区时间纳米级调控是如何具体实现的?
- 电压放大器:定义、原理与技术应用全景解析
- 减排新突破!意法半导体新加坡工厂冷却系统升级,护航可持续发展
- 低排放革命!贸泽EIT系列聚焦可持续技术突破
- 性能与成本的平衡:独石电容原厂品牌深度对比
- 从失效案例逆推:独石电容寿命计算与选型避坑指南
- 独石电容技术全景解析——从成本到选型的工程实践指南
- 电子系统设计必读——基准电压源选型指南
- 基于龙芯1D的智能水表,无机械结构+NB-IoT远程监测技术解析
- 车规与基于V2X的车辆协同主动避撞技术展望
- 数字隔离助力新能源汽车安全隔离的新挑战
- 汽车模块抛负载的解决方案
- 车用连接器的安全创新应用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall