【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）扩大其产品线，开始量产第3代碳化硅（SiC）1700 V、额定漏极电流（DC）为250 A且适用于工业设备的碳化硅MOSFET模块“MG250V2YMS3”。
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）扩大其产品线，开始量产第3代碳化硅（SiC）1700 V、额定漏极电流（DC）为250 A且适用于工业设备的碳化硅MOSFET模块“MG250V2YMS3”。
新产品MG250V2YMS3的漏源导通电压（检测端子）低至0.8 V（典型值）[1]，可实现低导通损耗。它还具有低开关损耗，其中开通损耗低至18 mJ（典型值）[2]，关断损耗低至11 mJ（典型值）[2]。这有助于减小设备的功率损耗以及散热装置的尺寸。
MG250V2YMS3的杂散电感低至12 nH（典型值），可执行高速开关操作。此外，其可在开关操作时抑制浪涌电压。因此，其可用于高频隔离DC-DC转换器。
东芝2-153A1A封装的碳化硅MOSFET模块的产品线由现有的四款产品组成，分别为MG250YD2YMS3（2200 V/250 A）、MG400V2YMS3（1700 V/400 A）和MG600Q2YMS3（1200 V/600 A），包括新产品。其产品选型范围更广。
未来东芝将继续满足对高效率和减小工业设备尺寸的需求。
注：
[1]测试条件：ID＝250 A，VGS＝+20 V，Tch＝25 °C
[2]测试条件：VDD＝900 V，ID＝250 A，Tch＝150 °C
应用
工业设备
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铁路车辆的逆变器和转换器
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铁路车辆的辅助电源
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可再生能源发电系统
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工业设备的电机控制设备
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高频DC-DC转换器等
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特性
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低漏极-源极导通电压（检测端子）：
VDS(on)sense＝0.8 V（典型值）（ID＝250 A, VGS＝+20 V, Tch＝25 °C）
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低开通损耗：
Eon＝18 mJ（典型值）（VDD＝900 V, ID＝250 A, Tch＝150 °C）
-
低关断损耗：
Eoff＝11 mJ（典型值）（VDD＝900 V, ID＝250 A, Tch＝150 °C）
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低杂散电感：
LsPN＝12 nH（典型值） -
主要规格
（除非另有规定，Tc＝25 °C）
内部电路
应用电路示例
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