【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）面向工业应用推出集成斩波碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300 V和800 A特征）的模块——“MG800FXF1ZMS3[1]”和“MG800FZF1JMS3[2]”，这些模块采用第三代SiC MOSFET和SBD芯片。
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）面向工业应用推出集成斩波碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300 V和800 A特征）的模块——“MG800FXF1ZMS3[1]”和“MG800FZF1JMS3[2]”，这些模块采用第三代SiC MOSFET和SBD芯片。
新产品MG800FXF1ZMS3和MG800FXF1JMS3采用具有银烧结内部键合技术和高安装兼容性的iXPLV[3]封装。这些产品的导通损耗低， 1.3 V（典型值）[4]的低漏源导通电压（传感值），并且还具有230 mJ（典型值）[5]的低开通损耗。有助于减少设备的功率损耗和减小冷却设备的尺寸。
东芝的iXPLV封装MOSFET模块产品线有三款产品，其中包括现有产品MG800FXF2YMS3（3300 V / 800 A / 双SiC MOSFET模块）。为用户提供了丰富的产品选择。其可以用于2电平逆变器、buck／boost转换器和3电平逆变器。
未来，东芝将继续努力满足市场对工业设备高效率和小型化的需求。
应用
工业设备
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用于轨道车辆的逆变器和转换器
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可再生能源发电系统
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工业电机控制设备
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特性
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低漏源导通电压（传感值）：
VDS(on)sense＝1.3 V（典型值）（ID＝800 A，VGS＝+20 V，Tch＝25 °C） -
低导通损耗：
Eon＝230 mJ（典型值）（VDD＝1800 V，ID＝800 A，Tch＝175 °C） -
低关断损耗：
Eoff＝230 mJ（典型值）（VDD＝1800 V，ID＝800 A，Tch＝175 °C） -
主要规格
（除非另有说明，@Tc＝25℃）
内部电路
应用电路示例
注：
[1]高边：SiC MOSFET，低边：SiC SBD
[2]高边：SiC SBD，低边：SiC MOSFET
[3]iXPLV：智能柔性封装低电压
[4]测试条件：ID＝800 A, VGS＝+20 V，Tch＝25 °C
[5]测试条件：VDD＝1800 V，ID＝800 A，Tch＝175 °C
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