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供需缺口持续扩大：英伟达B200芯片产能引爆服务器产业链
英伟达Blackwell架构B200 GPU需求持续井喷，尽管产能爬坡加速，但供应链调查显示其交付周期仍长达数月。Wedbush证券最新报告指出，B200/GB200系列芯片的供需缺口正在扩大，为英伟达未来季度增长注入强劲动力。
2025-07-08
英伟达 B200芯片 Blackwell平台 2028年AI芯片市场规模 Wedbush供应链调查 花旗市场预测 戴尔 技嘉 纬创
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苹果小米三星三足鼎立：2025年全球TWS市场或增长3%
市调机构Counterpoint Research最新报告显示，2025年全球真无线立体声（TWS）耳机市场预计销量同比增长3%，至2028年将维持温和扩张态势。这一增长背后，头部厂商正通过技术升级与生态整合展开差异化竞争，医疗健康功能、AI音频体验及生态系统协同成为关键驱动力。
2025-07-07
Counterpoint TWS市场预测 TWS耳机 AirPods Pro 3医疗功能 小米 三星Galaxy生态耳机 AI音频技术趋势
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颠覆传统制造！LG显示评估光刻非FMM OLED方案
LG显示正将韩国坡州E4电视产线改造为无掩模OLED技术试验场，通过导入日本JDI开发的eLEAP光刻工艺，替代传统精细金属掩模板（FMM）。该技术以先沉积后光刻的逆向制程突破物理限制，实测可使像素密度跃升至3000PPI、孔径比提升200%，为中尺寸面板及车载显示领域提供颠覆性解决方案。
2025-07-07
LG显示 无FMM OLED 光刻制程 OLED eLEAP 技术 电视面板 车载显示 显示面板
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AI芯片供应卡壳，三星HBM落地慢 或致Q2利润锐减39%
受高带宽存储器（HBM）芯片供应链波动及地缘贸易政策冲击，三星电子Q2营业利润预计同比锐减39%至6.3万亿韩元（约合46.2亿美元），创近六个季度最低纪录。这一数据不仅揭示AI存储芯片领域的技术竞赛白热化，更凸显全球科技产业链在技术迭代与政策博弈中的深度调整。
2025-07-07
三星 Q2利润暴跌 HBM3E认证 AI存储芯片 三星 英伟达 供应危机 HBM市场份额
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三星HBM3E减产背后：HBM4技术转型与市场需求博弈
三星电子近日调整HBM3E产线布局，第二季度末将12层HBM3E量产线开工率从100%下调至50%，月产量由7万-8万片缩减至3万-4万片。此次减产源于英伟达订单谈判延期及HBM4技术迭代压力，三星正通过保守生产策略降低库存风险，同时加速1c（第六代10纳米级）DRAM开发，为2026年HBM4商业化铺路。
2025-07-07
三星 HBM3E减产 HBM4 1c DRAM开发 英伟达 HBM供应 三星库存管理
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南亚科6月营收创三年新高，存储市场回暖信号明显
存储芯片厂商南亚科近日公布2025年6月财报，单月营收达40.7亿新台币，环比增长22.2%，同比增长21.1%，创近三年单月营收新高。值得注意的是，这已是南亚科连续第五个月实现营收增长，第二季度合并营收达105.26亿新台币，季增46.4%，显示出存储市场需求正在加速回暖。
2025-07-07
南亚科营收 DDR4内存价格 存储市场回暖 三大原厂停供DDR4 存储芯片合约价
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晶圆代工龙头地位稳固，台积电AI业务三年复合增长率超20%
分析师重申对台积电的"买入"评级，并将ADR目标价从225美元上调至270美元。研究报告指出，台积电晶圆代工业务竞争力将持续增强，未来三年AI芯片相关营收有望从2025年的260亿美元增长至2027年的460亿美元，复合年增长率达21%。英伟达每年发布的新一代AI芯片将成为核心驱动力，尤其是2026年Rubin架构及...
2025-07-04
台积电 营收预测 AI芯片代工 英伟达Rubin芯片 半导体行业增长 台积电2027年展望 晶圆代工竞争格局
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美国半导体税收抵免加码至35%：英特尔、台积电等厂商迎重大利好
美国参议院表决通过《大而美法案》，拟将半导体制造领域的投资税收抵免比例从现行的25%提升至35%，并取消抵免上限。该法案被视为特朗普经济政策的核心主张之一，目标在7月4日前完成立法程序。英特尔、台积电、美光等企业若在2026年前动工新建工厂，可享受这一高比例税收优惠，同时法案还包含390亿美...
2025-07-04
美国半导体 税收抵免 英特尔 台积电 芯片法案补贴 半导体产业回流 美光三星扩产计划
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三星1c nm DRAM量产在即，HBM4竞争进入白热化
2025年，三星电子宣布完成第6代1c纳米DRAM开发，通过优化中央配线层结构与引入EUV光刻技术，成功解决长期困扰行业的发热与信号干扰问题。这一进展被视为三星在HBM4竞争中逆转SK海力士的关键一步，其1c nm工艺样品预计下半年交付客户测试，存储器市场技术主导权之争再起波澜。
2025-07-04
三星 HBM4 SK海力士 1c nm DRAM 存储器制程竞争 EUV光刻技术 AI存储需求 半导体市占率
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