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从DDR4到HBM3:国内存储产业的技术升级与挑战
2025年国内存储产业在技术追赶中遭遇外部压力:受美国出口限制政策影响,DRAM产能扩张计划被迫调整,月产能预计较原目标缩减超10%。尽管如此,厂商仍通过低成本量产策略巩固DDR4市场,加速DDR5量产进程,并同步推进HBM3等高端产品开发,试图在通用DRAM及高带宽存储领域形成双重突破。
2025-07-29
国内DRAM产能 HBM3开发 出口限制 存储产业 DDR4市场份额 DDR5量产 地缘政治影响
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2025年Q3存储市场:DDR4领涨,工业需求成关键支撑
存储市场呈现分化格局:DDR4需求持续旺盛,价格涨势或延续至年底;DDR5及NAND产品则保持稳步增长。受上游厂商缩减DDR4产能影响,零售市场逐步向DDR5过渡,但工业计算机等传统领域仍积极采购DDR4,形成需求支撑。7-8月北美订单能见度强劲,关税因素未明显冲击销售,欧亚市场则增长平缓。
2025-07-29
DDR4 价格走势 DDR4停产影响 存储市场 DDR5市场需求 NAND产品涨价 工业计算机存储需求
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AI引擎驱动存储变革,2025 NAND Flash供不应求加剧
2025年全球存储市场正面临新一轮供需失衡挑战。群联电子CEO潘健成近日透露,AI技术加速普及推动存储需求激增,而关键物料BT载板供应持续紧张,叠加Flash与SSD封装IC缺料压力,预计8月中下旬起局部缺货现象将显现。尽管行业头部企业已提前布局备料,但下游模组厂订单激增仍导致供应链承压,价格波动...
2025-07-29
NAND Flash NAND Flash价格走势 BT载板 SSD封装 AI存储 群联电子 存储市场 DRAM
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宇瞻Q2存货24亿新台币,DDR4/DDR5涨价助力第三季毛利率改善
2025年第二季度,存储模组厂商宇瞻公布最新经营动态:受益于DDR4及部分DDR5价格上行,公司自7月起调整产品报价,第三季毛利率有望改善;同时,NAND Flash出货量稳定增长,叠加AI产业对服务器DDR5与企业级SSD的需求拉动,整体获利表现值得期待。
2025-07-28
宇瞻存货 模组厂 DDR4价格 DDR5升级 AI服务器存储 NAND Flash出货量
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铠侠第九代NAND闪存样品出货,2026年量产性能提升超60%
日本NAND闪存龙头铠侠(Kioxia)宣布,基于第九代BiCS FLASH 3D闪存技术的512Gb TLC芯片已启动样品出货,并计划于2026年3月底前实现量产。这一动作标志着3D闪存技术正式迈入新一代性能与能效比的提升阶段。
2025-07-28
铠侠 NAND闪存 第九代NAND BiCS FLASH 3D闪存 存储性能 智能手机存储
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DDR4缺货7月底达高峰:价格飙升,需求或持续至2026年
2025年7月,半导体内存市场迎来关键节点——DDR4自今年5月起出现供需失衡,至7月底缺货情形达最高峰,价格明显上涨。这一趋势背后,是原厂陆续宣布DDR4进入EOL(End of Life)阶段导致的产能收缩,而下游应用领域的刚性需求与转代成本高企,进一步加剧了市场波动。
2025-07-28
DDR4缺货 DDR4价格 南亚科DDR4 DDR4转DDR5 医疗设备DDR4
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2025年全球半导体代工收入将达1650亿美元,先进节点成核心驱动力
市调机构Counterpoint Research最新预测显示,2025年全球纯半导体晶圆代工行业收入将迎来显著增长,预计突破1650亿美元,同比增幅达17%,较2021年的1050亿美元实现跨越式提升,2021-2025年复合年增长率达12%。这一数据不仅反映了半导体产业的持续扩张,更凸显了先进制程技术在高端应用领域的核心地位。
2025-07-28
全球半导体 先进节点 台积电 晶圆代工 HBM内存集成 芯片级封装
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芬太尼关税余波未平,2025年6月中国对美手机出口额降71%
截至2025年7月,中国对美国智能手机出口数据呈现显著波动。据最新贸易统计,2025年6月中国智能手机对美出口额同比大幅下降71%,出口单价同比暴跌45%,反映出厂商在关税压力下的策略调整。同期,电子游戏机对美出口价格也出现23%的下滑,市场韧性面临考验。
2025-07-25
2025年中国智能手机 中国出口厂商 电子游戏机 暂停加征关税
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苏姿丰谈AI芯片需求:与英伟达竞争,美国厂成本增加5%~20%
AMD首席执行官苏姿丰近日在华盛顿一场AI主题活动上透露,若公司从台积电采购的芯片改由其美国亚利桑那州工厂生产,生产成本将较中国台湾工厂高出5%~20%。她同时确认,AMD预计将于今年年底前在台积电美国厂启动首批芯片量产,并强调这一布局是公司为增强供应链弹性所做的战略调整。
2025-07-25
AMD 台积电 苏姿丰供应链弹性 AI芯片市场需求 AI加速器出口限制
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