【导读】根据最新数据，DDR4内存价格较年初暴涨超200%，部分型号涨幅甚至高达6倍以上，而NAND Flash和DDR5的缺货危机也同步爆发。闪迪（SanDisk）在11月宣布NAND闪存合约价上调50%，创下年内第三次大幅涨价。这一连锁反应迅速波及下游模块厂商，创见、宜鼎国际与宇瞻科技等企业被迫暂停出货并重新评估报价，市场陷入“越涨越抢，越抢越涨”的恶性循环。
根据最新数据，DDR4内存价格较年初暴涨超200%，部分型号涨幅甚至高达6倍以上，而NAND Flash和DDR5的缺货危机也同步爆发。闪迪（SanDisk）在11月宣布NAND闪存合约价上调50%，创下年内第三次大幅涨价。这一连锁反应迅速波及下游模块厂商，创见、宜鼎国际与宇瞻科技等企业被迫暂停出货并重新评估报价，市场陷入“越涨越抢，越抢越涨”的恶性循环。
涨价核心动因：供给收缩与AI需求激增
1. 产能结构性转移：三星、SK海力士、美光三大原厂将80%以上的资本开支倾斜至HBM（高带宽内存）和DDR5等高毛利产品，逐步停止DDR4新订单。威刚董事长陈立白指出，DDR4产线设备多已拆除，用新设备生产旧产品无利可图，导致供给缺口扩大30%。
2. AI服务器需求爆发：单台AI服务器的DRAM需求是普通服务器的8倍，NAND需求达3倍。OpenAI“星际之门”计划每月采购的90万片DRAM晶圆，占全球总产量近40%。TrendForce预测，2025年全球AI服务器内存采购量同比增超30%。
3. 传统需求回暖：智能手机、游戏本等消费电子新品密集发布，LPDDR5X/DDR5-6400成为标配，进一步加剧供需矛盾。
市场影响与行业响应
●模块厂商业绩飙升：创见第三季度营收同比增长63%，毛利率达45%；宇瞻科技营收增长70%。业内普遍预计第四季度业绩将达全年峰值。
●下游产业承压：工业电脑龙头研华因DDR4涨价导致毛利率侵蚀1%，网通厂商合勤控预警若DRAM继续涨价，毛利率可能下滑4–5个百分点。多家企业已启动产品调价，幅度介于4%–8%。
●国产化替代机遇：长江存储、长鑫存储等国内企业加速切入阿里、腾讯等供应链，RDIMM产品批量交付消耗颗粒库存，进一步推高价格。
未来展望：超级周期或持续至2027年
摩根士丹利指出，此轮涨价由AI驱动，与过往消费电子周期本质不同，全球存储市场规模有望于2027年突破3000亿美元。德邦证券则认为，DDR4紧缺至少持续至2026年中，HBM产能爬坡缓慢可能将涨价周期拉长至3年以上。随着三大原厂全面退出DDR4市场，供应链紧张态势难以短期缓解，存储芯片市场正式步入“量价齐升”的新超级周期。
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