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本土厂商逆袭加速，2025年Q1中国大陆PC市场出货量同比增长12%
2025年第一季度，中国大陆PC市场（不含平板）出货量达890万台，同比增长12%，平板市场更是以870万台出货量实现19%的强劲增长。政策激励与消费升级双轮驱动下，消费级笔记本市场同比激增20%，而商用领域呈现结构性分化——大型企业采购持平，中小企业市场在连续11个季度萎缩后首次实现2%的正增长，市场...
2025-06-17
2025Q1中国PC出货量 PC市场 华为PC市场份额 鸿蒙OS SMB市场复苏
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2纳米制程双雄对决：台积电良率破60% 三星陷40%瓶颈
全球半导体代工双雄台积电与三星电子即将在2025年下半年展开2纳米制程芯片的量产对决。据产业链消息，台积电2纳米工艺良率已突破60%大关，而三星同期良率仍徘徊在40%左右。这场技术竞赛不仅关乎GAA晶体管架构的商业化落地，更将重塑AI芯片、高端手机处理器等价值300亿美元的市场格局。
2025-06-16
台积电 三星 2纳米 2纳米芯片订单 半导体设备国产化
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OLED面板大战升级！三星年底试产8.6代线，IT设备或迎显示革命
全球显示面板行业正迎来新一轮技术迭代。据行业消息，三星显示位于韩国牙山市的8.6代OLED生产线将于2024年底启动试运行，并于2025年第二季度实现全面量产。这一时间节点与苹果计划在2025年下半年发布的OLED版MacBook Pro及iPad新品高度吻合，预示着OLED面板在笔记本电脑、平板电脑等IT设备领域的渗...
2025-06-16
三星 8.6代OLED产线 苹果MacBook Pro OLED 京东方OLED量产 OLED笔记本面板 显示面板技术迭代IT设备显示升级
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HBM4设备供应链变局，三星SK海力士掀供应链重构战，美光携36GB新品入局
全球半导体巨头正围绕下一代高带宽内存（HBM4）展开激烈博弈。在HBM4量产前夕，三星电子、SK海力士和美光科技相继披露技术路线与供应链布局，设备国产化替代、技术迭代竞赛与供应商体系重构成为核心战场。机构预测，2025年HBM市场规模将达31.7亿美元，2030年突破百亿美元大关，这场技术军备竞赛的胜...
2025-06-16
HBM4量产 三星混合键合技术 SK海力士TSV工艺 美光36GB HBM4 半导体设备国产化 AI存储器竞争 2025年半导体市场
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十年未见！DDR4单日飙涨8%，台厂逆势扩产抢商机
全球内存市场正经历一场罕见的价格风暴。2025年6月13日，DDR4 DRAM现货价格单日暴涨近8%，创下近十年最大涨幅，甚至出现价格倒挂现象——DDR4报价反超更先进的DDR5。这一异动背后，是三星、SK海力士等头部厂商逐步退出DDR4市场，转向高端DDR5及HBM领域，而神秘买盘的大举扫货更将市场情绪推向高潮。
2025-06-16
DDR4价格暴涨 内存市场 三星停供DDR4 南亚科技扩产 DRAM价格倒挂 内存现货价
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2nm量产倒计时，三星晶圆代工却陷人才流失与盈利困境
据行业内部数据，截至2025年第一季度，三星晶圆代工部门技术类高管已从2023年的68人缩减至53人，降幅超22%。与之形成对比的是，非技术领域的战略与营销岗位数量逆势增长。这一调整被业内解读为三星从“技术驱动”向“成本优化”模式的转变。批评者指出，在台积电、英特尔加速技术迭代的背景下，核心技术...
2025-06-16
三星 晶圆代工 三星晶圆代工 半导体高管流失 2nm工艺量产 台积电市场份额 AI芯片需求疲软
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三星2nm良率冲刺50%，Exynos 2600量产倒计时启动
据韩媒《NewDaily》报道，三星LSI部门与晶圆代工事业部正全力推进2nm制程工艺良率提升，目标在2025年内将良率从年初的30%推高至50%，为2026年量产Exynos 2600处理器奠定基础。这场良率攻坚战不仅关乎三星能否按期交付Galaxy S26旗舰芯片，更将影响其在全球先进制程竞争中对抗台积电的关键筹码。随着...
2025-06-13
三星 2nm良率 Exynos 2600 Exynos 2600量产 三星2nm良率
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全球联网汽车Q1增长14%，比亚迪55%增速领跑行业
市调机构Counterpoint Research最新数据显示，2025年第一季度全球联网汽车销量同比增长14%，其中76%的新车已搭载嵌入式联网功能，标志着汽车产业全面进入智能化竞赛阶段。在这场以“车联网”为核心的新战场中，中国车企正以5G技术普及率超全球3倍的绝对优势改写格局——比亚迪凭借55%的同比增速成为全球...
2025-06-13
比亚迪 2025 Q1全球联网汽车销量 比亚迪车联网增速55% 中国5G汽车市场份额 车联网硬件成本
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美光HBM4内存量产在即：12层堆叠+2TB/s带宽颠覆AI硬件格局
随着生成式AI算力需求呈指数级增长的背景下，美光科技宣布其12层堆叠36GB HBM4内存已进入核心客户验证阶段。这款基于1β（1-beta）先进制程打造的旗舰产品，通过三维堆叠工艺与2048位元超宽接口，实现了2.0 TB/s以上数据传输速率，较前代HBM3E性能提升超60%。美光云端存储事业部总经理Raj Narasimhan...
2025-06-13
美光 美光HBM4内存 AI推理加速 2048位元接口 12层堆叠36GB AI加速器内存 美光HBM4送样
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