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市场

HBM3芯片通过测试，HBM3E没有

三星电子第四代高带宽内存HBM3芯片已获得Nvidia批准，这是该技术首次用于其处理器。这只是一个庆幸，因为三星的HBM3芯片目前只能用于不太复杂的Nvidia图形处理单元 (GPU) H20，该芯片是根据出口管制规定专门为中国市场开发的。

2024-07-24

HBM3 芯片

大摩：英伟达 GB200 出货量可望提高

摩根士丹利证券发布“人工智能（AI）供应链”报告指出，英伟达（NVIDIA）GB200的能见度提高，Blackwell需求在2025年将更强劲，台积电（2330）在2025年的CoWoS先进封装产能可能倍增，以满足强劲需求。

2024-07-24

大摩英伟达 GB200

消息称英伟达将为中国市场推出新旗舰AI芯片B20

三位知情人士称，英伟达正在为中国市场开发一款新的旗舰人工智能（AI）芯片，该芯片将与美国目前的出口管制兼容。

2024-07-23

英伟达旗舰AI 芯片 B20

三星电子将为苹果下一代 XR 设备打造 LLWD DRAM 产品

据悉，三星电子正全力投入为苹果即将推出的下一代 XR 设备量身打造 LLW（Low Latency Wide IO）DRAM 产品。

2024-07-23

三星电子苹果 DRAM XR 设备

DDR5和LPDDR6最新标准公布

微电子行业标准制定领域的全球领导者JEDEC固态技术协会宣布即将推出先进内存模块标准，旨在为下一代高性能计算和AI应用提供支持。

2024-07-23

微电子行业标准 DDR5 LPDDR6

晶圆代工涨价在望

除了台积电先进制程持续满载，近期看到成熟制程晶圆代工利用率回温，中国大陆晶圆代工厂利用率逼近满载。此前由于价格竞争激烈而面临损平压力，现阶段开始释出涨价信息。

2024-07-23

晶圆代工台积电

三星电子加强DRAM生产

三星电子已开始量产，向Nvidia供应第四代HBM3。为了补充因HBM供应而短缺的通用DRAM供应，平泽第4工厂（P4）将转变为仅生产DRAM的生产线。

2024-07-22

三星电子加强DRAM生产

受价格上涨和HBM、QLC推动，2025年存储器产业营收将创新高

研究机构TrendForce集邦咨询发布的最新存储器产业分析报告显示，受惠于位元需求增长、供需结构改善拉升价格，加上HBM（高带宽存储器）等高附加价值产品崛起，预估2024年DRAM内存产业营收年同比增长75%，NAND Flash闪存产业营收年增长77%。而2025年产业营收将创历史新高，其中DRAM内存年增约51%、NAN...

2024-07-22

HBM LC 存储器

机构：2024年晶圆制造设备平稳增长，2025年收入将激增

市场研究机构Yole报告指出，预计2024年WFE收入将同比增长1.3%，达到1081亿美元。这主要得益于先进逻辑以及NAND和DRAM存储器的WFE支出增加，同时旧工艺节点投资依然强劲。由于全球晶圆厂利用率的增加，预计2024年服务和支持收入将增长6%，达到235亿美元。

2024-07-22

晶圆制造设备

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