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传三星挖台积电墙脚将拿下Meta AI芯片代工订单

三星晶圆代工事业紧追台积电之际，传出三星再挖台积电客户，有望拿到Meta下世代自研AI芯片代工订单，将采2奈米制程生产，成为三星2nm客户，也为台积电与三星在2nm竞逐赛更增添话题。

2024-03-08

三星台积电 Meta AI芯片

2023年第四季NAND Flash产业营收季增24.5%，预期第一季将续增两成

据TrendForce集邦咨询研究显示，2023年第四季NAND Flash产业营收达114.9亿美元，季增24.5%。主要受惠于终端需求因年终促销回温，加上零部件市场因追价而扩大订单动能，位元出货较去年同期旺盛；同时企业方面持续释出2024年需求表现优于2023年的看法，且启动策略备货带动。

2024-03-08

NAND Flash

功率元件、MCU启动涨价趋势，原因多样

近期功率半导体和MCU芯片开启新一轮涨价潮，但市场需求回暖信号并不明确，价格上涨存在多方面因素。尽管看起来目前行业已经复苏，但一些从业者表示，价格上涨只是成本的反映。

2024-03-07

功率元件 MCU

传HBM良率仅为65%，存储大厂力争通过英伟达测试

HBM高带宽存储芯片被广泛应用于最先进的人工智能（AI）芯片，据业界消息，英伟达的质量测试对存储厂商提出挑战，因为相比传统DRAM产品，HBM的良率明显较低。

2024-03-07

英伟达 HBM 存储

环球晶：下半年需求升温

硅晶圆大厂环球晶董事长徐秀兰表示，本季业绩是低谷，第2季持平或小增，下半年需求将比上半年好，估计全年营收持平或个位数微幅增长，毛利率则持平或小减，明年展望会更好。

2024-03-07

环球晶硅晶圆

2月DRAM价格持平，NAND价格连续5个月上涨

据数据统计，2月份PC DRAM通用产品(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz)的平均固定交易价格为1.8美元，与上月持平。价格较去年同月下降0.55%。

2024-03-07

DRAM NAND

美光量产HBM3E高带宽内存用于英伟达H200二季度出货

美光近日宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽内存解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 层堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存，并于 2024 年第二季度开始出货。

2024-03-07

美光 HBM3E 英伟达 H200

南亚科2月营收年增逾42%，DRAM上半年上涨机会较大

存储大厂南亚科公布2024年2月份自结合并营收，受惠内存市场的复苏，使得营收金额来到新台币30.51亿元，较1月减少0.32%，较2023年同期增加50.56%。累计，合并营收为新台币61.12亿元，较2023年同期增加42.87%。

2024-03-06

南亚科 DRAM 存储

IDC：全球智能手机产业链平稳成长，H1出货保守

据IDC最新《全球智能手机供应链追踪报告》显示，全球十大品牌厂商透过营销、产品策略进行高低端市场攻防战，去年第四季全球智能手机产业制造规模比上季与去年同期大幅成长14.3%、12.5%。

2024-03-06

IDC 智能手机

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