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SK海力士开始量产业界首款HBM3E存储器 即将供货
SK海力士今日宣布,公司率先成功量产超高性能用于AI的存储器新产品HBM3E*,将在3月末开始向客户供货。这是公司去年8月宣布开发完成HBM3E后,仅隔7个月取得的成果。
2024-03-22
SK海力士 HBM3E存储器
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业界:手机和存储芯片推动,BT基板需求开始上升 ABF跟进
据业内人士透露,当前受手机和存储芯片需求增长推动,BT基板(树脂基覆铜板)需求已开始上升,而ABF基板需求预计将在2024年下半年回升。
2024-03-21
手机 存储芯片 BT基板 ABF
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涨价通知!订单回暖,这家PCB龙头全面调涨
众所周知,PCB( Printed Circuit Board),印制电路板,是重要电子部件,电子元器件的支撑体,是电子元器件电气相互连接的载体。PCB产业链上游原材料包括覆铜板、铜箔、铜球、半固化片等基材。其中覆铜板是核心基材,在整个PCB产业链中拥有一定的议价能力。
2024-03-21
PCB 建滔集团
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英伟达B200成本约6000美元,售价或高达4万美元!
据CNBC报道,英伟达(Nvidia)CEO黄仁勋在接受其采访时表示,英伟达计划以 3 万至 4 万美元的价格出售用于 AI 和 HPC 工作负载的全新Blackwell GPU B200。不过,这只是一个大概的价格,因为英伟达更倾向于销售面向数据中心的整体解决方案,而不仅仅是芯片或加速卡本身。与此同时,Raymond James 分...
2024-03-21
英伟达 HBM3E 芯片 加速卡
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铠侠、西数率先提升产能利用率,下半年存储价格涨幅或收敛
据TrendForce研究显示,在NAND Flash涨价将持续至第二季的预期下,部分供应商为了减少亏损、降低成本,并寄望于今年重回获利。今年3月起铠侠/西部数据率先将产能利用率恢复至近九成,其余业者均未明显增加投产规模。
2024-03-21
铠侠 西数 存储
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DRAM涨价效应持续,晶豪科Q2有望转亏为盈
DRAM价格自去年下半年反转向上,利基型存储通常会落后标准型DRAM 1-2季的时间,利基型存储IC设计厂商晶豪科也感受到客户开始因涨价而开始回补库存,也渐渐有涨价效应,第二季涨价效应可望较明显,法人估,晶豪科第二季可望转亏为盈。
2024-03-21
DRAM 晶豪科
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存储芯片涨价+增产,三星一季度利润将暴涨669%?
受过去两年半导体市场需求下滑的影响,三星存储芯片部门连续多个季度一直处于亏损当中。财报显示,整个2023财年,三星的半导体业务亏损额高达14.88万亿韩元(约合人民币800.5亿元)。不过,在2023年一季度后,三星启动了减产计划,推动了半导体业务的亏损持续收窄,其中DRAM业务已率先于2023年四季...
2024-03-21
三星 存储芯片
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英伟达寻求从三星采购HBM芯片
英伟达计划从三星采购高带宽存储(HBM)芯片,这是人工智能(AI)芯片的关键组件,三星试图追赶韩国同行SK海力士,后者已开始大规模量产下一代HBM3E芯片。
2024-03-20
英伟达 三星 HBM芯片
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SEMI:300mm晶圆厂设备支出明年将首次突破1000亿美元
国际半导体产业协会(SEMI)3月19日发布《2027年300mm晶圆厂展望报告》。报告显示,由于存储器市场的复苏以及高性能计算、汽车应用的强劲需求,全球应用于前道工艺的300mm晶圆厂设备投资,预计将在2025年首次突破1000亿美元,2027年将达到创纪录的1370亿美元。
2024-03-20
SEMI 晶圆厂设备
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