-
DDR6内存2027年商用在即：三星、SK海力士、美光完成原型开发
据供应链最新消息，全球存储器龙头三星电子、SK海力士与美光科技已同步完成DDR6内存标准的初期原型开发，并正与英特尔、AMD、英伟达等芯片设计厂商展开深度合作，加速推进DDR6平台的兼容性验证。作为下一代内存技术，DDR6预计将于2027年进入大规模商用阶段，其性能升级将为数据中心、AI计算、高性能...
2025-07-25
三星 DDR6 SK海力士 内存技术 美光 DDR6原型 2027年DDR6商用时间 CPU/GPU AI计算内存需求
-
2025年LCD显示屏出货量达8.75亿台，中国大陆厂商增长4.8%
根据市调机构Omdia最新报告，2025年全球大尺寸显示屏（9英寸及以上）出货量预计同比增长2.9%，尽管增速较2024年有所放缓，但在全球经济复杂多变及美国关税政策潜在影响的背景下，仍体现出行业较强的抗风险能力。报告指出，细分市场呈现分化趋势：电视、商用显示屏等领域或面临出货量下滑压力，而教...
2025-07-25
大尺寸显示屏 出货量 Omdia面板市场报告 LCD显示屏 电视显示屏
-
2025年英伟达Blackwell GPU将主导高端市场：出货量占比超80%
随着全球AI算力需求持续爆发，服务器市场正经历结构性转型。据TrendForce集邦咨询最新调研，当前传统服务器需求趋于稳定，众多ODM厂商正加速布局AI服务器赛道。其中，英伟达基于Blackwell架构的新一代GPU产品成为行业关注焦点，其2025年市场表现或将改写高端GPU竞争格局。
2025-07-25
Blackwell 英伟达 英伟达 GPU 高端GPU出货量 AI服务器液冷方案
-
AMD服务器CPU份额突破50%：2025年市场格局迎来“双雄时代”
近日，服务器CPU市场迎来历史性转折——AMD凭借EPYC系列产品的强势表现，市场份额突破50%，与英特尔形成分庭抗礼之势，彻底终结了后者在该领域的长期主导地位。这一数据来自PassMark最新服务器CPU市场占有率调查，标志着数据中心算力竞争正式进入“双雄时代”。
2025-07-24
AMD 服务器CPU 英特尔至强 EPYC Zen架构 数据中心市场
-
英伟达2025年部署SOCAMM：内存市场迎来HBM替代新变量
2025年，英伟达正式启动SOCAMM（新型内存模块）部署计划，预计规模达60万至80万个，这一动作被视为内存市场的重要转折点。作为HBM（高带宽内存）的潜在替代方案，SOCAMM虽初期部署量较小，却可能引发内存技术与基板行业的深度变革，为AI时代的高性能计算需求提供新解法。
2025-07-24
英伟达 SOCAMM HBM替代方案 美光内存模块 AI服务器内存 基板行业
-
ASM第二季度订单降4%不及预期：先进制程需求疲软，中国市场成关键缓冲
近日，荷兰半导体设备供应商ASM公布最新财报，2025年第二季度订单表现引发市场关注。数据显示，按固定汇率计算，公司当季订单量同比下降4%，至7.02亿欧元（约合8.25亿美元），低于分析师此前预期的8.37亿欧元。这一结果背后，既反映了部分核心客户业务调整的影响，也折射出全球半导体行业在技术转型...
2025-07-24
ASM 芯片设备 先进制程需求 GAA技术 地缘政治影响 中国市场半导体
-
SK海力士24Gb GDDR7供应在即，打破三星独供局面
2025年，内存市场迎来新一轮技术升级。据行业消息，SK海力士计划于年内启动24Gb GDDR7内存的供应，此举将改变当前24Gb GDDR7由三星电子独家供应的局面，为英伟达等客户的显卡产品提供更多选择。
2025-07-24
SK海力士 GDDR7 英伟达 RTX 50显卡 三星 GDDR7独供 内存模组 LPDDR服务器
-
DDR6量产进入倒计时：2027年大规模导入，性能较DDR5提升2-3倍
在生成式AI、高性能计算（HPC）及数据中心对内存带宽与效率需求激增的背景下，新一代内存标准DDR6正式迈入量产准备阶段。根据JEDEC（固态技术协会）推进计划，DDR6规范将于2024年底完成草案，LPDDR6草案则计划在2025年第二季对外发布，2026年进入平台测试与验证阶段，预计2027年实现大规模市场导入。
2025-07-23
DDR6 DDR6性能参数 CAMM2架构 三星 美光 SK 海力士 DDR6传输速率
-
三星HBM技术突破：16层起引入混合键合，20层HBM5将量产
在京畿道城南市举办的“商用半导体开发技术研讨会”上，三星电子DS部门半导体研究所下一代研究团队常务董事金大宇透露：三星计划从第7代16层HBM“HBM4E”开始逐步引入混合键合技术，并将在第8代20层HBM“HBM5”中实现全面量产。这一技术升级标志着HBM（高带宽存储器）向更高层数、更薄形态的关键突破。
2025-07-23
三星 HBM技术 HBM4E HBM5 半导体存储技术 HBM3E 热压键合替代
- 安森美与舍弗勒强强联手，EliteSiC技术驱动新一代PHEV平台
- 安森美与英伟达强强联手，800V直流方案赋能AI数据中心能效升级
- 贸泽电子自动化资源中心上线：工程师必备技术宝库
- 隔离变压器全球竞争图谱：从安全隔离到能源革命的智能屏障
- 芯海科技卢国建：用“芯片+AI+数据”重新定义健康管理
- MBSE智控革命：汽车中控锁安全开发的新范式
- 光伏运维数智化跃迁：AIoT如何重构电站"神经中枢"
- 算力革命：英飞凌PSOC C3重构空调外机控制新范式
- 高频PCB电源革命：三阶去耦策略破解Gbps时代供电困局
- 双芯智控革命：IGBT与单片机如何重塑智能微波炉
- 车规与基于V2X的车辆协同主动避撞技术展望
- 数字隔离助力新能源汽车安全隔离的新挑战
- 汽车模块抛负载的解决方案
- 车用连接器的安全创新应用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
