【导读】在全球功率半导体市场加速向高效能化合物材料转型的关键节点，SK keyfoundry宣布成功开发出支持450V至2300V宽电压范围的SiC平面MOSFET工艺平台，标志着其在碳化硅代工领域迈出了决定性的一步。作为收购SK powertech后整合核心能力的首个重磅成果，该平台不仅凭借超过90%的高良率和卓越的可靠性验证了技术成熟度，更迅速斩获了来自新客户的首个1200V高压产品订单，正式吹响了SK keyfoundry全面进军SiC化合物半导体商业化市场的号角。
SK keyfoundry推出的全新SiC平面MOSFET工艺平台支持450V至2300V的宽电压范围。该平台已在高压工作环境下获得了高可靠性与稳定性数据，证明了其卓越性能。此外，通过全面优化工艺流程并实现对核心制程的精准管控，公司已将产品良率提升至90%以上，同时提高了生产效率。SK keyfoundry还表示，公司提供差异化的"定制化工艺支持服务"，能够根据客户的特定需求微调电气特性与规格参数。
随着该工艺平台开发的完成，SK keyfoundry已获得一家专注于SiC设计的客户的1200V高压产品订单，并启动了产品开发工作。该工艺将应用于客户的工业设备，在热效率管理方面发挥关键作用。完成样片评估和可靠性验证后，公司计划于2027年上半年启动全面量产。
此次SiC平面MOSFET工艺平台的开发，是SK keyfoundry收购SiC专业公司SK powertech后，整合双方核心能力的首个成果。技术研发完成后随即获得实际客户订单，也印证了该平台已跨越技术验证阶段，具备了可立即投入商业化的成熟度与竞争力。
SK keyfoundry首席执行官Derek D. Lee表示："SiC平面MOSFET工艺平台的开发，标志着SK keyfoundry已在全球化合物半导体市场确立了独立的技术领导地位。依托我们兼具高良率与高可靠性的差异化工艺，我们将持续拓展高压功率半导体解决方案，以满足国内外客户的需求。"
随着2027年上半年量产计划的确立，SK keyfoundry凭借其差异化的定制工艺服务与已验证的高良率制造能力，已成功从技术验证阶段跨越至实质性商业交付阶段，确立了其在全球化合物半导体市场的独立技术领导地位。此次获得订单并启动产品开发，不仅印证了该平台在工业设备热效率管理等关键应用中的核心价值，更预示着SK keyfoundry将以成熟的SiC解决方案为引擎。持续拓展高压功率半导体版图，满足日益增长的国内外市场需求。
