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2024年Q2原厂3D NAND技术最新进展
据Tech Insights更新的2024年第二季闪存技术路线图显示，铠侠和西部数据继续采用他们的BiCS结构，最近升级到162层 BiCS 6。他们计划跳过BiCS 7，转向218层，甚至可能是284层的BiCS 8。美光科技将其128层产品转向CTF CuA集成，并随后发布了176层和232层版本。他们现在正在开发300层以下的Gen7，可能...
2024-06-19
3D NAND技术
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苹果、英伟达接受晶圆涨价
摩根士丹利（大摩）出具最新报告指出，苹果宣布Apple Intelligence，预示云端运算（苹果硅芯片/AI服务器）和边缘AI（iPhone处理器）都有优秀发展前景，AI半导体需求持续提升。
2024-06-19
苹果 英伟达 晶圆
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三星今年将推出3D HBM芯片封装服务
据The Korea Economic Daily报道，业内人士透露，三星电子公司将于年内推出高带宽内存 (HBM) 三维 (3D) 封装服务，该技术预计将出现在2025年推出的HBM4中。
2024-06-19
三星 3D HBM 芯片封装
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NAND原厂齐增产引业界担忧涨势放缓
据The Chosun Daily报道，韩国芯片制造商三星电子和SK海力士以及日本的铠侠一直在提高NAND闪存芯片的产量。这一转变发生之际，今年内存芯片需求反弹后，该行业的NAND闪存供应过剩状况有所缓解。
2024-06-19
NAND 三星电子 SK海力士 铠侠
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硅晶圆厂商环球晶：硅晶圆端明显回温或在明年
中国台湾最大半导体硅晶圆厂环球晶董座徐秀兰表示，客户需求比预期缓，拉货意愿持续保守，下半年逐步提升中，但没预期好，较上半年增幅有限，原估计今年会成长二至三倍的化合物半导体业务也难逃价格压力，成长幅度将降至五成。环球晶仍力拚今年营运「季季高」，但增幅可能比原预期少。
2024-06-19
环球晶 硅晶圆
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HBM影响，DDR5价格恐涨20%
供应链透露，上游原厂HBM订单不仅2025年预订一空，订单能见度甚至将看到2026年第1季，但HBM排挤太多DRAM产能，势必将推动DDR5价格逐步拉升。
2024-06-18
HBM DDR5
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台积电明年先进封装报价涨20%
据台媒《工商时报》报道，台积电3纳米供不应求，苹果、英伟达等七大客户产能全包，预期订单满至2026年。据悉，台积电3纳米代工价调整上看5％以上，先进封装明年年度报价也约有10％～20％的涨幅。
2024-06-18
台积电 先进封装
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2024年全球先进封装设备将同比增长6%至31亿美元
半导体市场研究机构TechInsights最新公布的2024年第一季度先进封装设备市场数据显示，2024年用于先进封装的晶圆厂设备预计将同比增长6%，达到31亿美元。
2024-06-18
先进封装设备
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满产！传多家晶圆厂，将涨价
根据中国基金报消息，随着台积电传出将对3nm、5nm先进制程及先进封装实行价格调涨，有机构预计中国大陆晶圆代工厂如华虹半导体，下半年或将涨价10%，结束两年跌势。
2024-06-18
台积电 晶圆
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