【导读】全球存储芯片市场迎来复苏信号。2025年第三季度，三星电子将其韩国平泽园区内主力第八代V8 NAND Flash生产线的产能利用率快速提升至约80%，较第二季度60%-70% 的水平实现了显著增长。
全球存储芯片市场迎来复苏信号。2025年第三季度，三星电子将其韩国平泽园区内主力第八代V8 NAND Flash生产线的产能利用率快速提升至约80%，较第二季度60%-70% 的水平实现了显著增长。
这一变化主要得益于人工智能基础设施对存储设备的强劲需求，特别是企业级固态硬盘的订单激增，推动了整个NAND Flash市场的快速回暖。
01 产能提升：从第二季度到第三季度的转变
三星电子平泽园区V8 NAND Flash产线的产能利用率在2025年经历了一个明显的爬升过程。
第二季度期间，该生产线的产能利用率维持在60%至70%的平均水平。这一相对保守的产能利用策略与当时的市场环境相吻合。
进入第三季度后，情况发生了显著变化。根据ZDNet KOREA的报道，三星迅速将产能利用率提升至80% 的水准，较上一季度提高了超过10%。
上游供应链的活动同样印证了这一积极变化。用于制造NAND Flash的材料与零件订单量，从2025年年中开始也同步增加。
02 市场背景：AI驱动与价格走势
此次三星产能利用率提升的背后，是多重市场因素的共同作用，其中AI技术的普及成为核心驱动力。
AI基础设施对存储设备的强劲需求是主要推动力。随着数据中心扩张加速，以及云计算领导者将重点从AI训练转向推理，对大容量存储器的需求正在激增。
NAND Flash价格自三季度以来开始快速上涨。根据TrendForce的分析，NAND Flash的平均销售价格预计将在2025年第三季和第四季分别上涨约5%至10%。
库存下降是另一个关键因素。由于市场情况持续改善，下半年V8 NAND的库存出现急剧下降的情况，这直接促使三星电子重新增加生产量。
03 产品定位：V8 NAND的技术特性
三星V8 NAND Flash是其产品组合中的关键一环，具有显著的技术优势和市场定位。
V8 NAND是三星电子从2022年底开始量产的主力产品，它的堆叠层数高达236层。该产品目前与V6 NAND共同构成三星电子的核心产品线。
在生产能力方面，V8 NAND的月产能估计约为10万片晶圆。这一规模使其成为三星应对市场需求变化的重要筹码。
从技术架构看，三星的V8 NAND Flash主要由TLC构成，主要用于消费级应用。这与服务器SSD主要采用的QLC NAND Flash形成对比，后者每个单元可储存4个位元，更有利于在高容量储存设备中使用。
04 行业趋势：存储市场的结构性变化
三星V8 NAND产能利用率的提升反映了全球存储市场更深层次的结构性变化。
当前NAND Flash需求的增长，主要由服务器用的企业级SSD领域所主导。这一趋势与AI基础设施的扩张密切相关。
传统硬盘供应紧张也助推了NAND Flash的需求。根据TrendForce的研究，随着传统高容量HDD面临显著短缺，云服务提供商正越来越多地转向NAND Flash供应商，推动了对近线SSD的更强需求。
消费级市场的库存状况正在改善。随着整个NAND Flash供应链转向企业级SSD，消费级SSD的库存也正在迅速减少。这种间接的拉动效应，使三星的V8 NAND Flash同样从中受益。
05 未来展望：持续向好的市场预期
业界对存储市场的前景持乐观态度，预计当前的复苏势头有望延续。
三星平泽园区V8 NAND产线的高产能利用率预计将持续。业界预计，第三季的产能利用率至少将维持在80% 以上，且第四季市场预期也将持续保持。
全球存储市场的投资前景积极。能源研究机构Wood Mackenzie预计，到2034年，全球电池储能投资将达到约1.2万亿美元。这一宏观背景为存储产业的长期发展提供了支撑。
AI驱动的存储需求增长具有持续性。随着AI推理应用快速推升实时存取、高速处理海量数据的需求，促使机械硬盘与固态硬盘供应商积极扩大供给大容量存储产品。
三星提高其V8 NAND Flash产线产能利用率，是全球存储市场复苏的一个明确信号。随着AI应用从训练转向推理，以及企业级SSD需求的持续增长，预计未来几个季度NAND Flash市场将保持稳健发展。
存储供应商的减产策略已有效减少库存，加上市场总体需求增加，共同促成了此次价格与产能的双重回升，为全球存储产业链的参与者带来了更广阔的发展前景。
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