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三大存储原厂2026年全面押注HBM4，技术差距已大幅缩小
三星电子DS部门在2026年新年致辞中罕见地直接点名下一代HBM4产品，并明确将“外部客户评价”置于战略首位。此举被视为三星以HBM4为起点展开技术反击的明确信号。业界观察指出，三星在HBM4领域已大幅缩小技术差距，甚至在部分环节开始领先，意图重塑AI内存市场格局。
2026-01-09
英伟达 Rubin 平台 DRAM HBM4 AI芯片 内存带宽
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芯片短缺雪上加霜，英伟达Rubin平台DRAM需求暴涨3倍
英伟达新一代AI芯片平台Rubin正式公布，其对高性能内存的需求引发行业震动。新平台对HBM4、LPDDR5X等DRAM产品的需求，达到了上一代Blackwell平台的三倍以上。
2026-01-09
英伟达 Rubin 平台 DRAM HBM4 AI芯片 内存带宽
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全球存储器产能售罄，已卖到2027年，原厂成最大赢家
受AI服务器需求持续飙升及云服务提供商（CSP）大规模采购驱动，2026年全球存储器产能已基本被预订一空。供应链信息显示，各大厂商最快将于今年第一季度敲定2027年的供货合约，意味着供应紧张局面将延续至2027年。
2026-01-09
存储器 供应紧张 AI服务器 存储芯片 全球存储器 DRAM NAND闪存
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AI Ready存储来了！美光3610 SSD以QLC实现TLC级性能与能效
美光科技正式推出3610 NVMe SSD，这是业界首款面向客户端计算的PCIe 5.0 QLC固态硬盘。产品基于成熟的美光G9 NAND打造，采用紧凑型单面M.2 2230设计，并在该形态下率先提供4TB超大容量，为超薄笔记本电脑与AI设备提供高性能存储解决方案。
2026-01-09
AI模型 美光 SSD 3610 QLC SSD 超薄笔记本存储 AI PC固态硬盘
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产能狂飙！台积电2nm良率超预期，1.4nm进程提前
面对全球市场对2nm技术的爆炸性需求，台积电正全力提升下一代制程的产能。据最新报告，公司计划通过建设三座专用于2nm的晶圆厂，在2026年底前实现月产14万片晶圆的目标。这一数字将超越此前外界预估的10万片，并逐步逼近其3nm工艺在2025年底达到的月产能16万片规模。产能的快速爬升，印证了市场对先...
2026-01-09
台积电 2nm晶圆 芯片 先进制程
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千倍性能飞跃！AMD MI400系列今年上市，开启AI算力新赛道
AMD首席执行官苏姿丰在CES 2026展会上正式发布新一代AI芯片产品线。其中，MI455作为数据中心服务器机架的核心组件，已向OpenAI等客户供货。同时发布的MI440X是该系列的企业版，专为适配非专用AI基础设施设计，是在美超级计算机早期芯片基础上的重要升级。
2026-01-09
AMD AI芯片MI455 MI440X MI500
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需求火爆！英伟达H200入华等待美中两国“许可证”
英伟达公司近日表示，中国市场对其H200芯片的需求表现强劲。此前，特朗普政府曾释放信号，考虑允许英伟达向中国出口这款高性能芯片。
2026-01-09
英伟达 H200 芯片 Colette Kress AI芯片 芯片出口管制
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外置存储天花板？三星P9移动硬盘首发USB4，最大容量达8TB
三星电子正式推出新款移动固态硬盘P9，首次采用USB4高速接口，带宽高达40Gbps。产品可实现最高4000MB/s的传输速度，大幅提升大文件读写效率。在存储容量方面，P9提供最高8TB版本，满足专业用户对海量存储空间的需求。
2026-01-09
三星 移动固态硬盘 P9移动固态硬盘 USB4移动硬盘
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盆满钵满！南亚科单月利润暴涨21倍，内存超级周期已验真
受全球内存价格持续上涨推动，南亚科公布了 2025 年 11 月自结收益数据，犹如一颗重磅炸弹在行业炸开。其收益同比增长超 21 倍，获利情况实现了显著跃升，这一成绩让众多同行艳羡不已。
2026-01-09
南亚科 收益增长 内存价格暴涨 DDR4 产品营收
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