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能效跃升+高功率！英飞凌SiC超结技术突破电动汽车能效天花板
英飞凌发布SiC沟槽型超结技术（TSJ），通过融合沟槽栅结构与超结设计，将碳化硅功率器件的性能边界推向新高度。该技术首次应用于ID-PAK封装的1200V功率器件，支持最高800kW功率的电动汽车牵引逆变器，较传统方案功率密度提升40%，主逆变器电流承载能力增强25%，为现代汽车等客户提供更高效、紧凑的...
2025-05-22
双向可控硅
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易飞扬发布200G SR2光模块：破解多波特率兼容难题
近期，易飞扬发布200G QSFP56 SR2光模块，该模块采用2×100G PAM4技术打造数据中心互连新标杆。该方案突破性实现多波特率自适应，在保持超低时延的同时兼容100G/200G混合组网，为异构数据中心提供高弹性连接底座。
2025-05-22
光电模块
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能效比提升30%！Abracon超级电容撬动千亿级备用电源市场
Abracon ADCT-E02R7S/ADCS-E02R7S系列实现三大技术突破：1）采用纳米孔碳气凝胶电极，将比表面积提升至2500m²/g，较传统活性炭材料提升3倍；2）通过离子液体电解液配方优化，使工作电压突破至2.7V（行业主流2.5V）；3）独创的卷绕式电极结构，将等效串联电阻（ESR）控制在12mΩ以下，较同类产品降低4...
2025-05-22
超级电容
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带宽翻倍+能效优化！Cadence 发布DDR5 IP 方案破局AI算力瓶颈
Cadence基于台积电3nm工艺打造的DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2内存IP实现三大技术突破：1）采用双通道交织架构，通过独立时钟域设计实现数据速率翻倍；2）集成AI驱动的动态功耗管理系统，使能效比（GB/s/W）提升40%；3）开发出三级冗余校验（TRC）技术，将数据传输可靠性提升。特别值得关注的是，该方...
2025-05-22
MOSFET
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SiC集成+宽爬电封装！PI 推出面向800V汽车应用的五款开关IC
Power Integrations推出的1700V InnoSwitch™3-AQ开关IC，首次将1700V碳化硅（SiC）开关与InSOP™-28G宽爬电封装结合，实现初级侧1000VDC高压耐受能力，引脚间爬电距离达5.1mm，满足2级污染环境下的严苛绝缘要求。该技术无需喷涂三防漆，简化生产流程并降低认证成本，为800V纯电平台提供高可靠隔离电...
2025-05-21
功率器件
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突破浪涌瓶颈！AOS新型TOLL封装MOSFET赋能48V热插拔应用
AOS推出的AOTL66935采用自主研发的100V AlphaSGT™ MOSFET技术，通过沟槽工艺实现1.95mΩ超低导通电阻（RDS(ON)），同时结合宽范围安全工作区（SOA）设计，显著提升器件在48V热插拔场景下的峰值电流承载能力与可靠性。该技术有效抑制浪涌电流冲击，降低系统并联器件需求，简化电源拓扑。
2025-05-21
MOSFET
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体积缩小+开关功耗低！东芝发布新型650V第3代SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社宣布，其基于第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术的四款650V功率器件——TW031V65C、TW054V65C、TW092V65C及TW123V65C正式投入批量生产。该系列采用紧凑型DFN8×8封装，其体积减小90%以上，为开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备提供更高功率密度的解决方案。
2025-05-21
MOSFET
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人眼安全+超密点阵：艾迈斯欧司朗双激光方案引爆AIoT时代3D传感革命
艾迈斯欧司朗通过VCSEL阵列重构技术实现双重突破：BIDOS® P3435 Q BELAGO 1.2采用940nm波长激光器，在4.2mm³封装内集成15,000个独立光点，较传统结构光模组精度提升3倍；BIDOS® P2433 Q V105Q121A-850则开创性地将光电二极管与850nm VCSEL共封装于3.3mm³空间，实现人眼安全与微型化的完美平衡。
2025-05-21
光电传感器
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紧凑设计+多协议支持：贸泽上新Nordic蓝牙SoC加速物联网开发
全球电子元器件代理商贸泽电子宣布，即日起正式开售Nordic Semiconductor nRF54L低功耗蓝牙系统级芯片（SoC）。这款专为物联网设备打造的无线解决方案，在微型封装内集成高性能处理器与超低功耗射频，可完美适配于医疗和智能家居设备、工业物联网、游戏控制器和其他物联网应用。
2025-05-21
SoC
- 步进电机驱动器技术演进：从基础驱动到智能闭环控制
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