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突破单向局限:瑞萨发布全球首款650V双向阻断GaN器件,单级拓扑效率超97.5%
瑞萨电子于3月23日在北京宣布推出业界首款采用耗尽型(d-mode)氮化镓(GaN)技术的双向开关——TP65B110HRU,这款创新器件突破了传统单向开关的物理局限,能够在单一组件中实现正负电流的双向阻断。专为单级太阳能微型逆变器、AI数据中心及电动汽车车载充电器等高效能系统设计,该产品通过替代传统的...
2026-03-23
温度传感器
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3W/cc超高密度、96.5%效率:瑞萨四款新芯解锁240W USB EPR快充潜能
瑞萨电子近日正式推出了基于氮化镓(GaN)技术的半波LLC(HWLLC)平台及其四款核心控制器IC,标志着AC/DC转换器及电源适配器解决方案的重大突破。该平台专为500W及以上的高功率应用设计,通过创新的拓扑结构和瑞萨专有的零待机功耗(ZSP)技术,成功将超高效、紧凑型的电源架构从传统的100W级扩展至...
2026-03-23
齐纳二极管
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Bourns 扩展 MF-LSMF 系列:新增九款高功率 PPTC 可复式保险丝,最高支持 7.0 A
3月20日,全球知名电子组件制造商Bourns宣布扩展其Multifuse® MF-LSMF高功率表贴式聚合物正温度系数(PPTC)可复式保险丝系列,新增九款型号以提供更宽广的保持电流范围和更高的额定电压,满足高功率密度应用的设计需求。
2026-03-20
高通滤波器
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读取速度高达4000MB/s!闪迪至尊超极速™专业版领衔新一代移动固态矩阵
闪迪公司于北京盛大举办春季新品发布会,以“创新、高效、个性化”为核心,正式推出了涵盖新一代移动固态硬盘、焕新品牌的内置固态硬盘系列、突破性小巧设计的USB-C®闪存盘以及备受瞩目的FIFA World Cup 2026™授权版系列在内的多款重磅产品。此次发布不仅标志着闪迪在存储技术与工业设计上的全新突破...
2026-03-20
交流电机
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无惧粉尘油污与强磁干扰:纳芯微MT6901为机器人关节提供高可靠位置方案
纳芯微近日正式推出基于双码道游标算法的电感编码器芯片MT6901,标志着公司在高精度电机位置检测领域完成了从单一磁编码器向“磁电并行”技术布局的战略升级。面对工业现场粉尘、油污及强电磁干扰等恶劣环境对传统光学编码器的挑战,MT6901凭借独特的电涡流感应原理与自校准机制,不仅实现了±0.02°的...
2026-03-20
板对板
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延迟降低90倍、能耗骤降120倍:TI TinyEngine™ NPU 重新定义边缘AI能效
德州仪器(TI)于2026年3月重磅推出了两款集成专属TinyEngine™神经处理单元(NPU)的新型微控制器(MCU)系列——MSPM0G5187与AM13Ex。这一创新举措打破了以往AI功能仅局限于高成本、高功耗高端芯片的壁垒,通过将硬件加速器无缝融入通用及实时MCU,实现了单次推理延迟最高降低90倍、能耗骤降超过120...
2026-03-20
翘板开关
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Microchip推出通过1000+小时HV-H3TRB测试的BZPACK mSiC®模块
面对工业及可再生能源领域对功率转换系统日益严苛的可靠性要求,Microchip Technology Inc.正式推出了专为高湿、高电压及高温反偏(HV H3TRB)环境设计的BZPACK mSiC®功率模块。该模块不仅通过了超过1000小时的严格标准测试,更凭借其在极端条件下的卓越稳定性、灵活的拓扑结构支持以及简化的生产流...
2026-03-20
肖特基MOSFET组合
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自有16nm制程加持,华邦8Gb DDR4如何成为嵌入式市场“解渴”良方?
2026开年,全球存储市场“涨”声不断、产能短缺成为行业常态。面对这一变局,华邦电子并未盲目追随头部大厂转向超高容量存储,而是坚守中小容量利基市场,凭借自有先进16nm制程技术推出全新8Gb DDR4 DRAM,以更具成本效益和性能优势的解决方案回应市场渴求。通过与华邦电子产品总监朱迪的深度对话,我...
2026-03-20
图像传感器
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卓越抗硫化性能!威世发布全新RCA-SR e3电阻器,严苛环境下漂移率低至1%
威世科技(Vishay Intertechnology, Inc.)近日推出符合AEC-Q200标准的全新厚膜片式电阻器系列——RCA-SR e3,专为应对含硫环境及严苛工况而设计。该系列凭借卓越的抗硫化性能、长期稳定性以及五种紧凑型封装选项,成为汽车、工业和通信领域应用的理想选择,进一步巩固了威世在高性能被动元件市场的领...
2026-03-20
注塑件
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